[发明专利]MEMS振荡器

权利要求书

1.一种压阻MEMS振荡器，包括：

谐振器本体(20)；

至少一个驱动电极(30)，位于谐振器本体附近，用于提供致动信号；

至少一个偏置电极(44)，用于向谐振器本体提供偏置电流；

输出电路(31；40)，用于产生输出，所述输出是依据谐振器本体(20)电阻变化的，

其中，输出电路(31；40)控制谐振器本体(20)两端的电压或控制流经谐振器本体(20)的电流，以及其中，由于谐振器本体(20)电阻的变化而导致的流经谐振器本体的电流或谐振器本体两端的电压的变化，导致输出电路输出处的电流或电压的改变，

其中，输出电路包括具有DC偏置端子(34；41)的放大器电路，所述DC偏置端子用于设置输出电路的DC偏置并从而设置谐振器(20)中的DC偏置电流，

所述放大器电路包括：

与谐振器本体(20)串联的晶体管(40)，其中，DC偏置(V_BIAS)被施加至DC偏置端子(41)，DC偏置端子(41)与晶体管(40)的栅极或基极耦合；或者

与谐振器本体串联并在谐振器本体的相对两侧的第一和第二晶体管，其中，DC偏置(V_BIAS1，V_BIAS2)被施加至与第一和第二晶体管的栅极或基极耦合的两个DC偏置端子，

从而在放大器电路(31；40)的输出(32；43)与谐振器本体(20)之间提供电流路径。

2.如权利要求1所述的振荡器，其中，输出电路与谐振器本体在电源轨道之间串联。

3.如权利要求1或2所述的振荡器，还包括有源负载，所述有源负载向输出电路(31；40)与谐振器(20)的串联连接提供电流。

4.如前述权利要求中任一项所述的振荡器，其中，放大器电路的一个或多个输出(43)与一个或多个晶体管的漏极或集电极耦合。

5.如前述权利要求中任一项所述的振荡器，其中，将固定电压施加到DC偏置端子(34；41)。

6.如权利要求1至4中任一项所述的振荡器，其中，将可变电压施加到DC偏置端子(34；41)，其中选择可变电压以在谐振器本体中提供期望的功率耗散。

7.如权利要求6所述的振荡器，包括：用于感测谐振器本体中电功率耗散的电路(52，54)；用于将所感测的电功率耗散与期望的功率耗散相比较并根据所述比较导出针对DC偏置端子(34；41)的信号以获得期望的电功率耗散的电路(50)。

8.如权利要求7所述的振荡器，其中，用于感测电功率耗散的电路(52，54)包括电流传感器(52)、电压传感器(54)和乘法器(56)。

9.如权利要求6、7或8所述的振荡器，其中，可变电压的波动比放大器电路(31；40)的输出的波动慢。

10.一种控制压阻MEMS振荡器的方法，包括：

向谐振器本体提供致动信号；

向谐振器本体供应偏置电流；

使用输出电路(31；40)来产生输出，所述输出是依据谐振器本体电阻的变化的，

其中，所述方法包括：

使用输出电路(31；40)来控制谐振器本体(20)两端的电压或控制经过谐振器本体(20)的电流，

向输出电路的DC偏置端子(34；41)施加电压，从而设置输出电路的DC偏置并设置谐振器(20)中的DC偏置电流，

其中，输出电路包括放大器电路，所述放大器电路包括：

与谐振器本体(20)串联的晶体管(40)，设置DC偏置包括将DC偏置(V_BIAS)与晶体管(40)的栅极或基极耦合；或者

与谐振器本体串联并在谐振器本体的相对两侧的第一和第二晶体管，设置DC偏置包括将DC偏置(V_BIAS1，V_BIAS2)与第一和第二晶体管的栅极或基极耦合，

从而所述方法包括：在输出电路的输出(34；41)与谐振器本体(20)之间提供电流路径。