[发明专利]薄膜太阳能电池制作工艺、薄膜太阳能电池前体层堆叠的制造方法和太阳能电池前体层堆叠

权利要求书

1.一种制造适用于薄膜太阳能电池的层堆叠的方法，该方法包括以下步骤：

在透明衬底上沉积TCO层；

沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一导电类型层；

沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一本征型层；

沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的另一导电类型层，所述另一导电类型层与所述第一导电类型层的导电性相反；

通过化学气相沉积来设置含SiOx的中间层；以及

沉积配置来用于太阳能电池的第二p-i-n结；

其中所述含SiOx的中间层设置为所述另一导电类型层的一部分，并且其中所述含SiOx的中间层具有小于等于17nm的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第一p-i-n结或第二p-i-n结的本征层中设置氢稀释度分级。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第一p-i-n结和第二p-i-n结的本征层中设置氢稀释度分级。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述含SiOx的中间层是具有小于等于30％的微晶含量的微晶SiOx层。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述含SiOx的中间层是具有约5％至10％的微晶含量的微晶SiOx层。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述沉积所述含SiOx的中间层的步骤包括：

使包括至少硅烷、氢气和CO₂的气体混合物在化学气相沉积处理的沉积区中流动。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述沉积所述含SiOx的中间层的步骤包括：

使包括至少硅烷、氢气和CO₂的气体混合物在化学气相沉积处理的沉积区中流动。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述含SiOx的中间层沉积为具有小于等于2.5的折射率。

9.一种用于太阳能电池的前体，该前体包括：

透明衬底；

配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一导电类型层；

配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一本征型层；

配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的另一导电类型层，所述另一导电类型层与所述第一导电类型层的导电性相反；

通过化学气相沉积而沉积的含SiOx的中间层；以及

配置来用于太阳能电池的第二p-i-n结；

其中所述含SiOx的中间层设置为所述另一导电类型层的一部分，并且其中所述含SiOx的中间层具有小于等于17nm的厚度。

10.根据权利要求9所述的前体，还包括：

在第一和第二p-i-n结的本征层的至少一者中的氢稀释度分级。

11.根据权利要求9所述的前体，其中所述SiOx的中间层是具有小于等于30％的微晶含量的微晶SiOx层。

12.根据权利要求9所述的前体，其中所述含SiOx的中间层包括碳。

13.根据权利要求9所述的前体，其中所述含SiOx的中间层具有小于等于2.5的折射率。

14.根据权利要求10所述的前体，其中所述含SiOx的中间层具有小于等于2.5的折射率。

15.根据权利要求11所述的前体，其中所述含SiOx的中间层具有小于等于2.5的折射率。

16.根据权利要求9至15中的任一项所述的前体，其中所述含SiOx的中间层具有依赖于波长的反射层。

17.根据权利要求9至16中的任一项所述的前体，其中所述含SiOx的中间层是掺杂层。

18.根据权利要求16所述的前体，其中所述含SiOx的中间层是所述另一导电类型层的掺杂层。

19.根据权利要求9至15中的任一项所述的前体，其中所述含SiOx的中间层具有5nm至15nm的厚度。