[发明专利]一种LED散热基板及其制备方法

权利要求书

1.一种LED散热基板，包括：LED晶圆或者基板散热层，通过溅镀或蒸镀方式涂镀在LED晶圆或者基板散热层上的纳米级金属复合材料薄膜；其中，该LED晶圆或者基板散热层为马鞍形。

2.根据权利要求1所述的LED散热基板，其中，LED晶圆或者基板散热层下部附有未切割晶粒；LED晶圆或者基板为平板结构，处于未切割状态。

3.根据权利要求1所述的LED散热基板，其中，LED晶圆或者基板散热层包括LED晶圆或者基板、印刷在LED晶圆或者基板上的负型光刻胶，负型光刻胶和LED晶圆或者基板之间包括承载负型光刻胶的金属屏蔽；其中，金属屏蔽承载的负型光刻胶蚀刻为马鞍形结构。

4.根据权利要求3所述的LED散热基板，其中，负型光刻胶厚度为0.6-2.0微米；LED晶圆或基板背面进行过等离子蚀刻和深紫外光曝光。

5.根据权利要求1所述的LED散热基板，其中，纳米级金属复合材料薄膜是纳米级铜铝复合材料、纳米级类钻碳材料、纳米级钻石材料、纳米级金属石墨复合材料或者纳米级金属陶瓷复合材料；纳米级金属复合材料薄膜的厚度为0.00001-0.001毫米。

6.一种LED散热基板的制备方法，包括：

步骤1，使用电子束直写方式制作光刻掩膜板，光刻掩膜板涂布负型光刻胶并置于深紫外光曝光系统中进行深紫外光曝光，之后进行显影，通过反应性离子蚀刻对光刻掩膜板进行蚀刻，以镍铁合金电镀液进行电铸，然后进行剥膜制程，再以翻模方式制作金属屏蔽；

步骤2，对未切割的LED晶圆或基板背面进行等离子蚀刻制程；

步骤3，将负型光刻胶倒入金属屏蔽上，并以自动印刷机印刷至LED晶圆或基板背面上，制作马鞍形结构的LED晶圆或基板散热层；

步骤4，将经过温和等离子体表面处理的LED晶圆或基板散热层放入低温水平磁控溅镀机真空溅镀或者真空蒸镀纳米级金属复合材料薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，步骤2中，等离子蚀刻制程中，真空度为0.001-0.000001托尔；持续时间为10-240秒；使用气体为氩气，氩气的纯度为99.999％。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其中，步骤3还包括：

步骤31，对印刷后的LED晶圆或基板背面进行深紫外光曝光，曝光能量为500-1000KJ，曝光时间为0.1-0.8ms；之后进行显影，所用的氢氧化钠浓度为3-8％，显影时间为10-30秒，温度为25-50℃；

步骤32，进行反应性离子蚀刻形成马鞍形结构，时间：10-50秒；之后进行剥膜制程；

步骤33，进行除水，对LED晶圆或基板背面进行清洗；之后进行等离子蚀刻，实现LED晶圆或基板散热层的微蚀和增加黏着性。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其中，步骤4中，真空溅镀或者真空蒸镀的靶材为纳米级铜铝复合材料、纳米级类钻碳材料、纳米级钻石材料、纳米级金属石墨复合材料或者纳米级金属陶瓷复合材料；靶材使用前进行除水。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，步骤4中，真空溅镀的真空度为0.001-0.000001毫米汞柱；时间为1-10分钟，使用气体为氩气，氩气的纯度为99.999％，以动量转移方式将纳米级金属复合材料薄膜沉积于LED晶圆或基板散热层上，沉积的厚度为0.00001-0.001毫米。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其中，步骤4中，真空蒸镀的方式中，将纳米级金属复合材料粉末置入真空蒸镀机的坩锅室内进行蒸镀，时间1-10分钟；厚度为0.00001-0.001毫米；真空度为0.001-0.000001毫米汞柱；温度为100-1200℃。