[发明专利]反应腔装置及具有其的基片处理设备

权利要求书

1.一种反应腔装置，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体内限定有反应腔室；

托盘，所述托盘设置在所述反应腔室之中且可转动；和

进气装置，所述进气装置用于在所述腔室本体之中形成相互交替的第一气体区域和第二气体区域，其中，在所述第一气体区域之中通入工艺气体，在所述第二气体区域之中通入隔离气体，

其中，位于所述托盘上的基片随托盘的转动交替通过所述第一气体区域和第二气体区域。

2.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述第一气体区域的面积大于所述第二气体区域的面积。

3.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述托盘为环形，所述托盘具有中心孔。

4.根据权利要求3所述的反应腔装置，其特征在于，所述进气装置包括：

第一进气组件，所述第一进气组件设置在所述腔室本体的内壁与外壁之间，且所述第一进气组件包括交替分布的第一气体喷口和第二气体喷口，其中，所述第一气体喷口喷出工艺气体，所述第二气体喷口喷出隔离气体。

5.根据权利要求4所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

第一排气组件，所述第一排气组件位于所述托盘的中心孔之内。

6.根据权利要求3所述的反应腔装置，其特征在于，所述进气装置包括：

第二进气组件，所述第二进气组件为筒状，且设置在托盘的中心孔之内，且所述第二进气组件包括交替分布的第三气体喷口和第四气体喷口，其中，所述第三气体喷口喷出工艺气体，所述第四气体喷口喷出隔离气体。

7.根据权利要求6所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

第二排气组件，所述第二排气组件设置在所述腔室本体的内壁与外壁之间以将所述反应腔室与外界连通。

8.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述托盘的材料为石墨，且所述托盘之外涂覆有SiC镀膜。

9.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述腔室本体的顶壁、底壁和周壁均设有水冷装置。

10.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

位于每个所述托盘之下的加热器以为所述托盘进行加热。

11.根据权利要求10所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

位于所述加热器之下的防护板。

12.根据权利要求10所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

一个或多个第五气体喷口，所述一个或多个第五气体喷口设置在所述腔室本体的内壁与外壁之间，且所述一个或多个第五气体喷口位于所述加热器之下。

13.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

位于所述一个和多个托盘之上的整流片；和

升降电机，所述升降电机控制所述整流片竖直移动。

14.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：

磁流体密封装置，所述磁流体密封装置与所述托盘相连；和

旋转电机，所述旋转电机通过同步带与所述磁流体密封装置相连，且带动所述磁流体密封装置转动。

15.一种基片处理设备，其特征在于，包括：

反应腔装置，所述反应腔装置为如权利要求1-14任一项所述的反应腔装置；和

控制器，所述控制器控制所述托盘的转速。

16.根据权利要求15所述的基片处理设备，其特征在于，所述控制器还控制所述反应腔装置的升降电机以控制所述整流片和所述托盘之间的距离。