[发明专利]用于处理硅衬底的方法和设备

权利要求书

1.一种处理硅衬底的方法，包括：

提供包含硅膜的衬底；

在第一时段内向所述衬底的表面提供能够蚀刻氧化硅膜的第一流体；以及

在第二时段内向所述衬底的所述表面提供第二流体，所述第二流体能够蚀刻所述氧化硅膜，具有与所述第一流体相比不同的成分，且具有对于所述氧化硅膜的高蚀刻比，所述第二时段不同于所述第一时段。

2.根据权利要求1所述的处理硅衬底的方法，其中所述第一流体含有臭氧溶液。

3.根据权利要求1所述的处理硅衬底的方法，其中所述第二流体含有氟或氟化铵溶液。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的处理硅衬底的方法，进一步包括在第三时段内到所述衬底的所述表面的含有水的第三流体，所述第三时段不同于所述第一时段和所述第二时段。

5.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中所述第三时段被安排在所述第一时段与所述第二时段之间。

6.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中所述衬底被平行于地面而布置或相对于所述地面倾斜。

7.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中所述第一流体到所述第三流体中的至少一者从所述硅膜的表面的第一端循序供应到所述硅膜的所述表面的第二端。

8.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中所述第一时段到所述第三时段彼此部分重叠。

9.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中所述第一时段到所述第三时段被安排为具有不同的开始时间。

10.根据权利要求4所述的处理硅衬底的方法，其中流体切割空气被提供到所述衬底的所述表面以移除保留在所述衬底的所述表面上的所述第一流体到所述第三流体中的至少一者，且

所述流体切割空气在第四时段内被提供到所述衬底的所述表面，所述第四时段不同于所述第一时段到所述第三时段且被安排在所述第一时段到所述第三时段中的至少两者之间。

11.一种硅衬底处理设备，包括：

支撑基底，用于支撑包含硅膜的衬底；

流体供应单元，向所述衬底的表面提供用于蚀刻氧化硅膜的流体；

水供应单元，将水提供到所述衬底的所述表面；以及

控制单元，连接到所述流体供应单元和所述水供应单元，且控制所述流体供应单元和所述水供应单元以分别在不同时段内提供用于蚀刻所述氧化硅膜的所述流体和所述水。

12.根据权利要求11所述的硅衬底处理设备，其中所述流体供应单元包括：

第一流体供应单元，向所述衬底的表面提供能够蚀刻所述氧化硅膜的第一流体且连接到所述控制单元；以及

第二流体供应单元，向所述衬底的所述表面提供第二流体且连接到所述控制单元，所述第二流体能够蚀刻所述氧化硅膜，具有与所述第一流体相比不同的成分，且具有对于所述氧化硅膜的与所述第一流体相比较高的蚀刻比。

13.根据权利要求12所述的硅衬底处理设备，其中所述控制单元控制所述流体供应单元以分别在不同时段内提供所述第一流体和所述第二流体。

14.根据权利要求12所述的硅衬底处理设备，其中所述第一流体含有臭氧溶液。

15.根据权利要求12所述的硅衬底处理设备，其中所述第二流体含有氟或氟化铵溶液。

16.根据权利要求11所述的硅衬底处理设备，其中所述支撑基底经布置以调整所述衬底相对于地面的倾斜。

17.根据权利要求11所述的硅衬底处理设备，进一步包括流体切割空气供应单元，所述流体切割空气供应单元向所述衬底的所述表面提供流体切割空气且连接到所述控制单元，

其中所述控制单元同时接通所述流体切割空气供应单元和所述第一流体供应单元，或同时接通所述流体切割空气供应单元和所述第二流体供应单元。