[发明专利]一种在假牙支架表面溅射保护膜的方法有效
申请号: | 201110302977.5 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102423270A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 尹路 | 申请(专利权)人: | 尹路 |
主分类号: | A61C13/00 | 分类号: | A61C13/00;C23C14/34;C23C14/06 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 假牙 支架 表面 溅射 保护膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种假牙支架,尤其是涉及一种在假牙支架表面溅射保护膜的方法。
背景技术
义齿(假牙)支架在日常使用中易出现磨粒,这些磨粒会引起局部炎症反应而导致口腔局部感染,口腔环境中pH值变化很大,而且合金作为修复材料在口腔环境内行使功能如与较硬食物反复摩擦,或日常清洁义齿都会损伤义齿。为此,运用表面修饰改性技术克服齿科合金的这些缺陷并赋予合金新的性能,以满足不同应用领域的特殊要求。近年来,类金刚石薄膜(DLC)以其独特的优点和良好的性能吸引了许多材料工作者的极大关注。类金刚石薄膜有许多与金刚石薄膜相似的性能,但是近年来DLC薄膜并没有在医学领域尤其是口腔修复应用中取得突破性的进展,一个很重要的原因就是薄膜的内应力过大,易导致膜层脱落。
中国专利CN1030870公开一种医用齿科矫形临床对金属结构的假牙支架表面进行电刷镀技术,在于解决经铜基合金、钴铬合金、18~8铬镍不锈钢材料制作的假牙冠、桥、卡环、支架、基托等存有强度差、不耐磨、易腐蚀、脱锌成孔和颜色不够美观的技术问题。
中国专利CN1889898披露了一种确定假牙形状的方法,包括:至少扫描牙坯(10)的连接部分(14),其中所述牙坯(10)包括第一固定体(12)及与之连接的连接部分(14),在所述连接部分(14)上形成物理模型以制造桥体(22),及至少扫描所述桥体(22),从而在扫描步骤中也扫描第一固定体(12)的表面,且能以任一顺序执行所述扫描步骤。可对牙坯(10)进行扫描以提供关于第一固定体(12)与连接部分(14)相对位置的数据,其可用来校准在所述扫描步骤中获得的数据。还披露了一种制造假牙模型的方法及一种生产假牙的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在假牙支架表面溅射保护膜的方法。
本发明包括以下步骤:
1)将假牙支架试件进行预处理;
2)将假牙支架试件表层进行气体等离子体处理,其具体方法是将假牙支架试件暴露在由氮气和氦气组成的混合气体的等离子体氛围中进行处理,然后导入含碳的有机化合物,在假牙试件表面形成一层渗氮类金刚石碳膜,并借助等离子体使气体成分与假牙试件的表面形成牢固结构;
3)将经步骤2)等离子体处理后的假牙支架试件进行热处理,得表面溅射有保护膜的假牙支架。
在步骤1)中,所述预处理的方法可为:将假牙支架试件用金相砂纸双面逐级打磨、抛光、清洗、干燥;所述清洗可采用丙酮超声清洗。
在步骤2)中,所述将假牙支架试件暴露在氩气等离子体中进行处理的真空度可为0.01~10mPa,最好为0.1~5mPa;所述将假牙支架试件暴露在由氮气和氦气组成的混合气体中进行处理的时间可为10~200s,最好为20~60s;所述假牙支架试件表面的功率密度可为2~5000mW/cm2,最好为1000~3000mW/cm2;所述含碳的有机化合物中的碳含量可为混合气体的0.01~70g的分子百分数,最好是0.1~30g的分子百分数;所述碳的有机化合物可选自甲烷等;所述等离子体通过的频率可为15~75kHz的交流电放电,最好是20~40kHz的交流电放电;所述假牙支架试件是假牙支架试件表面采用齿科常用金属的假牙试件,所述齿科常用金属可采用钛、镍铬合金、钴铬合金等中的一种。
在步骤3)中,所述热处理的条件可为压力0.01~1mPa,温度60~1000℃,时间15~200s。
本发明采用等离子体脉冲电弧离子镀技术和非平衡磁控溅射技术在纯钛基底上沉积高硬度,高韧性和强耐磨性TiN/TiC/DLC纳米复合膜系。通过扫描电镜,能谱分析,原子力显微镜等手段研究复合薄膜的膜系结构、膜层厚度等参数对薄膜应力变化的影响,以期获得低应力高膜基结合强度的复合薄膜。获得口腔医用钛基底纳米复合DLC薄膜制备技术参数。通过膜系光学设计,调整复合薄膜表面色泽,以期达到理想的义齿表面美学效果。对DLC复合薄膜样品的微观结构,力学性能以及生物相容性进行表征,优化膜系设计和工艺参数,并通过医学临床试验,建立有效的医学评价体系。
本发明采用脉冲真空电弧离子镀,在制备类金刚石薄膜的过程中没有氢气参与,因而膜层性能稳定,基片没有负偏压,所以不会有负偏压放电破坏膜层的现象。
附图说明
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