[发明专利]用于高电压应用的ESD动力钳

权利要求书

1.一种静电放电(ESD)钳包括：

第一电源节点；

与所述第一电源节点连接且被设置成检测ESD事件的ESD检测电路；

与所述第一电源节点连接且被设置为输出第二电源电压到第二电源节点的偏置电路，所述第二电源电压比所述第一电源节点上的第一电源电压低，其中所述ESD检测电路设置为激活所述偏置电路以改变响应ESD事件的工作状态；以及

与所述第二电源节点连接的低电压(LV)ESD钳，其中所述LV ESD钳包括LV器件，所述LV器件具有比所述第一电源电压低的最大耐电压。

2.根据权利要求1所述的ESD钳还包括VSS节点，其中所述ESD检测电路和所述偏置电路的每一个都连接在所述第一电源节点和所述VSS节点之间，其中所述LV ESD钳连接在所述第二电源节点和所述VSS节点之间。

3.根据权利要求1所述的ESD钳，

其中所述ESD检测电路包括：

连接在所述第一电源节点和VSS节点之间的第一电阻器；

连接在所述第一电阻器和所述VSS节点之间的第一电容器；

连接在所述第一电源节点和所述VSS节点之间的第二电容器；以及

连接在所述第二电容器和所述VSS节点之间的第二电阻器，其中所述偏置电路包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管包括与所述第一电阻器和所述第一电容器之间的节点连接的栅极；

第二PMOS晶体管，第二PMOS晶体管包括与所述第二电阻器和所述第二电容器之间的节点连接的栅极，其中所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极到漏极的线路串联连接；以及

二极管，所述二极管与所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极到漏极线路串联连接，

其中所述的ESD钳还包括：

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管包括与所述第一电源节点连接的漏极，与所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的所述源极到

漏极线路之间的节点连接的栅极，以及与所述第二电源节点连接的源极；

连接在所述第一电源节点和所述NMOS晶体管的栅极之间的第三电阻器；以及

连接在所述第二电源节点和所述VSS节点之间的第三电容器。

4.一种静电放电(ESD)钳包括：

第一电源节点；

连接在所述第一电源节点和电接地之间ESD检测电路，其中所述ESD检测电路设置为检测所述ESD钳的节点上的ESD瞬变；

连接在所述第一电源节点和所述电接地之间的偏置电路，其中将偏置电路设置成接收来自所述ESD检测电路的信号，然后输出响应所述信号的电压，所述电压施加给第二电源节点，其中所述偏置电路包括高电压(HV)器件；以及

低电压(LV)ESD钳包括与所述第二电源节点连接的第一端，和与所述电接地连接的第二端，其中所述LV ESD钳包括LV器件，所述LV器件具有比所述HV器件的最大耐电压低的最大耐电压。

5.根据权利要求4所述的ESD钳，其中所述偏置电路输出的电压比所述第一电源节点上的电压低，其中所述偏置电路设置成相应于所述第一电源节点上的电压变化保持电压基本稳定，在所述ESD钳的任何节点上都没有ESD瞬变发生。

6.根据权利要求4所述的ESD钳，其中所述LV ESD钳中的所述LV器件的最大耐电压低于所述第一电源节点上的电压。