[发明专利]化学机械抛光方法和化学机械抛光设备

权利要求书

1.一种化学机械抛光方法，包括：

通过将清洗液喷射至晶片的表面，来对晶片的表面进行喷淋清洗。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，还包括：

在所述喷淋清洗之后，对所述晶片进行化学机械抛光。

3.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，还包括：

在所述喷淋清洗之前，采用第一浆料对所述晶片进行化学机械抛光。

4.如权利要求3所述的化学机械抛光方法，还包括：

在所述喷淋清洗之后，采用第二浆料对所述晶片进行化学机械抛光。

5.如权利要求4所述的化学机械抛光方法，其中所述第一浆料和所述第二浆料的酸碱性相反。

6.如权利要求5所述的化学机械抛光方法，其中所述第一浆料的PH值为10～11。

7.如权利要求6所述的化学机械抛光方法，其中所述第一浆料用于去除氧化物。

8.如权利要求5所述的化学机械抛光方法，其中所述第二浆料的PH值为4～5。

9.如权利要求8所述的化学机械抛光方法，其中所述第二浆料用于去除氮化物。

10.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其中所述清洗液为去离子水。

11.如权利要求10所述的化学机械抛光方法，其中所述去离子水的喷射压力为20～100psi。

12.如权利要求10所述的化学机械抛光方法，其中所述去离子水的喷射时间为1～200秒。

13.如权利要求10所述的化学机械抛光方法，其中在所述喷淋清洗过程中，所述晶片绕其中心轴作面内旋转，转速为10～110rpm。

14.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，还包括：

在所述喷淋清洗之前，采用清洗液对所述晶片的表面进行浸泡清洗。

15.一种化学机械抛光设备，包括：

喷射装置，用于将清洗液喷射至晶片的表面，以对所述晶片的表面进行喷淋清洗。

16.如权利要求15所述的化学机械抛光设备，其中所述喷射装置是喷射条。

17.如权利要求16所述的化学机械抛光设备，其中所述喷射条设置在抛光台的旁边，在对所述晶片的表面进行化学机械抛光之前或之后将清洗液喷射至晶片的表面。

18.如权利要求16所述的化学机械抛光设备，还包括至少两个抛光台，所述喷射条设置在两个抛光台之间。

19.如权利要求18所述的化学机械抛光设备，其中所述两个抛光台分别使用酸碱性相反的浆料。

20.如权利要求18所述的化学机械抛光设备，包括至少两个喷射条，所述至少两个喷射条彼此相交。

21.如权利要求15所述的化学机械抛光设备，还包括用于保持晶片的吸头，所述吸头被设置为使晶片的表面与所述喷射装置相距5～15cm。

22.如权利要求21所述的化学机械抛光设备，在所述喷淋清洗的过程中，所述吸头被设置为带动晶片绕晶片中心轴作面内旋转，转速为10～110rpm。

23.如权利要求15所述的化学机械抛光设备，其中所述清洗液为去离子水。

24.如权利要求23所述的化学机械抛光设备，其中所述去离子水的喷射压力为20～100psi。

25.如权利要求23所述的化学机械抛光设备，其中所述去离子水的喷射时间为1～200秒。