[发明专利]非线性光学晶体氟碳酸钙钾

权利要求书

1.一种尺寸大于3毫米的单晶体，其化学式KCaCO₃F，属于六方晶系，空间群为晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝1，单胞体积为

2.一种权利要求1的氟碳酸钙钾晶体的多晶料的制备方法，其特征在于：将含K、Ca、F和C的化合物原料按适当比例均匀混合研磨后，缓慢升温300～400℃后，预烧1～5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在550～650℃下烧结12～20小时，冷却至室温即可获得氟碳酸钙钾多晶料。

3.一种权利要求1所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的生长方法，在CO₂气氛中采用熔盐法生长，其特征在于：以KF-K₂CO₃为助熔剂生长，KF/K₂CO₃摩尔比为1/2～2/1，以K为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4～1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700～800℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降温至600℃，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得本发明的尺寸为5×4×3mm氟碳酸钙钾非线性光学晶体。

4.一种权利要求1所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的生长方法，在CO₂气氛中采用熔盐法生长，其特征在于：采用KF-SrF₂助熔剂体系，KF/SrF₂摩尔比为1/3～3/1，以K为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4～1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700～800℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10～20转/分，降温至饱和温度，然后按1～5℃/天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10～30℃/小时的速率降至室温，获得本发明的尺寸为10×9×7mm氟碳酸钙钾非线性光学晶体。

5.一种权利要求1所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的用途，其特征在于：该非线性光学晶体用于激光器激光输出的频率变换。

6.一种权利要求5所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的用途，其特征在于：该非线性光学晶体用于对波长为1.064μm的激光光束产生2倍频或3倍频或4倍频或5倍频的谐波光输出。

7.一种权利要求5所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的用途，其特征在于：该非线性光学晶体用于产生波长低于200nm的谐波光输出。

8.一种权利要求5所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体为用于紫外区的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件。

9.一种权利要求5所述的氟碳酸钙钾非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体为从红外到紫外区的光参量与放大器件。