[发明专利]一种基于工作频率可调的超材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110301883.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102544740A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;李春来 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工作 频率 可调 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：
在基材上加工出凹槽阵列；
在每个凹槽内壁加工有连通外部的微孔；
将两片基材相对粘合，使凹槽对合而成为中空腔体；
将液晶通过微孔注入到中空腔体内，获得二维超材料。
2.根据权利要求1所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤还包括用树脂密封住微孔。
3.根据权利要求2所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤还包括将多层二维超材料用机械法固定，制备成三维超材料。
4.根据权利要求1所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述在基材上加工出凹槽阵列之前，还包括选择所需的基材，并对该基材进行清洁。
5.根据权利要求1或4所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述在基材上加工出凹槽阵列和微孔的方法为刻蚀法。
6.根据权利要求3所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的机械法为：在每层二维超材料的边缘打孔对齐固定，获得三维超材料。
7.根据权利要求1所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的液晶为高介电常数的液晶。
8.根据权利要求1或4所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的基材的材质采用的是热塑性低介电常数的高分子材料。
9.根据权利要求1所述的基于工作频率可调的超材料的制备方法，其特征在于：所述的腔体为球形、椭球形、立方体、长方体、圆柱体或任意所需的形状。
10.一种基于工作频率可调的超材料，其特征在于：包括权利要求1-9任意一项所述的方法制备的超材料。
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