[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤一、在衬底上形成氧化铟锡薄膜及源/漏金属层；

步骤二、使用灰阶掩膜版在完成所述步骤一的所述衬底上形成图案化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括具有第一厚度的完全保留区及具有第二厚度的部分保留区，所述第一厚度大于所述第二厚度；

步骤三、对完成所述步骤二的所述衬底进行刻蚀，以形成对应于所述完全保留区形状的源/漏电极，以及形成对应于所述部分保留区形状的像素电极；

步骤四、在形成有所述源/漏电极及所述像素电极的所述衬底上形成半导体层、绝缘层及栅极金属层；

步骤五、使用常规掩膜版在完成所述步骤四的所述衬底上形成图案化的第二光刻胶层；

步骤六、对完成所述步骤五的所述衬底进行刻蚀，以去除未被所述第二光刻胶层覆盖的所述半导体层、所述绝缘层及所述栅极金属层，以形成图案化的有源层、栅极绝缘层及栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤三中的刻蚀方法为干法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤三包括：

对完成所述步骤二的所述衬底进行湿法刻蚀，以去除未被所述第一光刻胶层覆盖的所述源/漏金属层及所述氧化铟锡薄膜；

对所述第一光刻胶层进行灰化，去除所述部分保留区，以暴露出部分所述源/漏金属层；

借助已去除所述部分保留区的所述第一光刻胶层对所述暴露出的源/漏金属层进行刻蚀，以形成对应于所述完全保留区形状的源/漏电极，以及形成对应于已去除的所述部分保留区形状的像素电极；

去除剩余的所述第一光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一还包括：在所述源/漏金属层上沉积离子掺杂层。

5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述栅极金属层为钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼或铬的单层膜，或者为钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼、铬中任意组合所构成的复合膜。

6.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的单层膜，或者为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中任意组合所构成的复合膜。

7.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述源/漏金属层为钼、钨化钼或铬的单层膜，或者为钼、钨化钼、铬中任意组合所构成的复合膜。