[发明专利]一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法

权利要求书

1.一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法，其特征是采用晶体硅原料，依次经过清洗制绒、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃后，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），在多晶硅表面进行三次不同折射率（其中n_内>n_中>n_外）SiN减反膜的沉积。

2.用权利1中的方法制备出的三层SiN减反膜钝化效果佳，减反效果好，短波区的光谱吸收明显提高。

3.用权利1中的方法制备出的三层SiN减反膜能有效提高多晶硅太阳电池的光电性能，其中短路电流提高了100mA，光电转换效率提高了1.34%。

4.一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法，其制备方法为：在射频频率为40KHz，射频功率为4500W的条件下，通入NH₃:SiH₄ =1：4～5（即NH₃、SiH₄流量比为1：4～5），进行第一层SiN减反膜的制备，再通入NH₃:SiH₄ =1：6～7（即NH₃、SiH₄流量比为1：6～7），进行第二层SiN减反膜的制备，最后通入NH₃:SiH₄ =1：8～10（即NH₃、SiH₄流量比为1：8～10）进行第三层SiN减反膜的制备，腔体内保持100～300Pa恒压，反应温度为300℃～500℃。