[发明专利]电荷泵电路有效
| 申请号： | 201110301129.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102355127A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电荷泵电路，至少包括：
第一组正压电荷泵，用于产生第一编程高压，其至少包括串联的m级电荷泵；
第二组正压电荷泵，用于产生第二编程高压，其至少包括串联的k级电荷泵；以及
负压电荷泵组，用于产生负高压，其至少包括串联的k级电荷泵，
其中，该第二组正压电荷泵的每级电荷泵均连接一PMOS晶体管源极，每一PMOS晶体管栅极均连接至PMOS管使能信号，该负压电荷泵组的每级电荷泵均连接一NMOS晶体管漏极，每一NMOS晶体管栅极均连接至一NMOS管使能信号，每一PMOS晶体管漏极与对应的NMOS晶体管源极相互连接，并通过一共用电容接至时钟信号。
2.如权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于：该第一组正压电荷泵自第二级电荷泵输出的每级电压分别为该第二组正压电荷泵的每个PMOS管的N阱提供偏置。
3.如权利要求2所述的电荷泵电路，其特征在于：该负压电荷泵组的每个NMOS晶体管的深N阱接至同一级PMOS晶体管的N阱，每个NMOS晶体管的源极与P阱连接，衬底接地。
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