[发明专利]一种原子层沉积设备及其使用方法有效
申请号: | 201110300843.X | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103031546A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 及其 使用方法 | ||
1.一种原子层沉积设备,包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室,其特征在于:所述沉积室内设有膜厚测量模块,所述膜厚测量模块与所述控制部件电连接。
2.如权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述控制部件包括计算机和数据处理模块;所述计算机与所述数据处理模块连接,所述数据处理模块分别与所述膜厚测量模块、真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接;
其中,所述计算机,用于显示系统操作界面、接收外部命令、显示系统各部件运行中的参数,向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制,并从数据处理模块接收指令数据,对接收到的指令数据进行分析;所述数据处理模块,用于对所述膜厚测量模块、真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
3.如权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接。
4.如权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述数据处理模块连接。
5.如权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述数据处理模块和所述真空部件中的电压电流放大模块连接,所述电压电流放大模块和继电器连接,所述继电器下端为泵组电源。
6.如权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述数据处理模块与所述等离子体产生部件中的射频电源连接。
7.如权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于:所述数据处理模块与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。
8.一种原子层沉积设备的使用方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)向控制部件的计算机输入预计沉积反应时间及需要达到膜层厚度,且在沉积室中对待加工器件做高度标记;
(2)所述计算机向控制部件中的数据处理模块发送开启命令,启动真空部件、气路部件、加热部件和等离子体产生部件,使所述原子层沉积设备工作在稳定的状态;
(3)所述原子层沉积设备在一个反应周期结束后,启动膜厚测量模块,对待加工器件的标记位置进行膜层高度测量,将得到的高度数据的平均值作为此时膜层的高度值,与需要达到的膜层厚度进行比较,判断是否需要继续进行沉积反应;
(4)若需继续进行沉积反应,则重复步骤(3);否则,结束沉积反应;
(5)吹扫所述原子层沉积设备。
9.如权利要求8所述的原子层沉积设备的使用方法,其特征在于,所述步骤(3)中将得到的高度数据的平均值作为此时膜层的高度值,与需要达到的膜层厚度进行比较,判断是否需要继续进行沉积反应,具体包括如下步骤:如果所述膜层的高度值与需要达到的膜层厚度相等,则比较设备运行时间和预计沉积反应时间,若设备运行时间和预计沉积反应时间相等则停止沉积工作,若设备运行时间和预计沉积反应时间不等则提醒操作人员继续或停止沉积;如果所述膜层的高度值与需要达到的膜层厚度不等,且设备运行时间未达到预计沉积反应时间,则继续沉积,若设备运行时间超过预计沉积反应时间,则向操作人员发送继续或停止沉积的信息。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的