[发明专利]修整器装置及其检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种修整器装置及其检测方法。

背景技术

在半导体工艺领域，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术兼具有机械式抛光与化学式研磨两种作用，可以使整个晶圆表面达到平坦化，以便于后续进行薄膜沉积等工艺。在研磨过程中，由于浆料输送装置无法使输送的研磨浆料均匀地分布在所述研磨垫上，从而可能会影响晶圆的研磨效果，因此在现有技术中，通常在靠近所述研磨垫附近设置一个或者多个修整器装置来对所述研磨垫进行修整。所述修整通常为包括：1)通过对所述研磨垫上的研磨浆料分布位置的调整，使所述研磨浆料均匀地分布在所述研磨垫上；2)在研磨过程中，通过对所述研磨垫随时修整，从而使所述研磨垫始终保持一种多孔、微观上凹凸不平的结构，保证其研磨晶圆的效果。更多关于研磨垫修整器的资料可以参考中国专利申请号为200710184835.7公开的一种化学机械研磨用的研磨垫修整器。

在使用过程中，修整器内的圆环上的隔膜以及控制装置内的连接部件常常会发生破损，从而影响修整器的正常工作。但是，现有技术中，由于修整器装置的条件所限，需要人工逐一拆下隔膜以及各个连接部件，并检查具体哪个出现破损。这样的检测方法往往需要花费大量的时间成本、人力成本。

发明内容

本发明解决的问题是节省检测修整器装置的时间成本和人力成本，提高生产效率。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种修整器装置，包括至少一个修整器和控制装置；所述控制装置包括真空测量器、适于将所述真空测量器连通至真空环境的第一真空管、分别连通至所述至少一个修整器且与所述修整器的数量匹配的第三真空管、分别连接至所述第三真空且与所述第三真空管的数量匹配的连接部件、以及连接至所述第一真空管、真空测量器和一个连接部件的第二真空管；还包括在连接部件为两个以上时连通所述连接部件的中间真空管；其中，所述中间真空管和第二真空管均具有开启和关闭两种状态。

可选地，所述第二真空管的长度大于其与第一真空管、真空测量器的连接点和与其连接的连接部件之间的距离。

可选地，在连接部件为两个以上时所述中间真空管的长度大于其两端连接的连接部件之间的距离。

可选地，所述修整器的数量为一个。

可选地，所述修整器的数量为两个以上。

可选地，在所述修整器和连接部件之间还设置有控制阀门，所述控制阀门用于控制所述第三真空管的开启和关闭。

根据本发明实施例提供的修整器装置，还提供了一种修整器装置的检测方法，包括：确定所述真空测量器的测量数据；

如对真空测量器进行检测，关闭所述第二真空管，若所述真空测量器的测量数据没有改变，则确定所述真空测量器正常；若所述真空测量器的测量数据发生改变，则确定所述真空测量器异常；

如对任一修整器及其对应的连接部件进行检测，关闭连接至修整器的第三真空管，且在连接部件为两个以上时关闭连接至对应该修整器的连接部件的、处于修整器和真空测量器之间的气路外的中间真空管，若所述真空测量器的测量数据没有改变，则确定所述连接部件正常，所述修整器异常；若所述真空测量器的测量数据发生改变，则确定所述连接部件异常。

可选地，关闭所述第二真空管、关闭所述中间真空管的方式包括如下任一种：

折叠所述第二真空管、所述中间真空管，以使所述第二真空管、所述中间真空管处于关闭状态；

在所述第二真空管、所述中间真空管上设置开关阀门，并将所述开关阀门调至关闭状态，以使所述第二真空管、所述中间真空管处于关闭状态。

可选地，所述真空测量器的测量数据为第一真空管、第二真空管、第三真空管以及中间真空管内的真空压强值。