[发明专利]一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备有效
| 申请号: | 201110300066.9 | 申请日: | 2011-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN103031545A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 沉积 容积 调节 原子 设备 | ||
1.一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室;所述控制部件分别与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接,所述述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与所述容积可调节的沉积室相连接。
2.如权利要求1所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:所述容积可调节的沉积室包括容积不同的第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室;所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室之间通过密封提升头连接,所述各个沉积室均设有独立的基板保持器和加热器。
3.如权利要求2所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:当选择所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室其中一个沉积室进行沉积反应时,关闭相应的所述密封提升头,使被选择的沉积室处于密闭状态,另外两个腔室则作为气路系统的一部分;当通入化学试剂和清理气体时,所述密封提升头全部打开,使所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室形成通路。
4.如权利要求2所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:所述第一沉积室的容积为所述第二沉积室的0.6倍,所述第三沉积室的容积为所述第二沉积室的1.5倍。
5.如权利要求1所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:所述容积可调节的沉积室包括基板保持器、加热器和可移动的腔壁,所述可移动的腔壁包括第一预定位置、第二预定位置和第三预定位置;所述可移动的腔壁移动至第一预定位置时,形成第一沉积室;所述可移动的腔壁移动至第二预定位置时,形成第二沉积室;所述可移动的腔壁移动至第三预定位置时,形成第三沉积室;所述各个沉积室共用所述基板保持器和所述加热器。
6.如权利要求5所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:所述第一沉积室的容积为所述第二沉积室的0.6倍,所述第三沉积室的容积为所述第二沉积室的1.5倍。
7.如权利要求1所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:所述控制部件包括计算机和数据处理模块;所述计算机与所述数据处理模块连接,所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接;
其中,所述计算机,用于显示系统操作界面、接收外部命令、显示系统各部件运行中的参数,向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制,并从数据处理模块接收指令数据,对接收到的指令数据进行分析;所述数据处理模块,用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





