[发明专利]输气装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，且特别涉及腔室周边的输气装置。

背景技术

在半导体制作过程中，往往需要将反应气体输入至腔室中，与晶片进行反应。通常情况下，这种输气装置暴露在常温中，并且不存在任何温度控制设备，这使得所输送的气体存在在室温中液化的可能性。

以腔室LAM TCP9400和腔室LAM TCP9600为例。参考图1，输气装置暴露在室温中，其中所运输的溴化氢(HBr)和氯化硼(BCL₃)很容易和空气中的水汽发生反应，从而干扰所运输气体的气流稳定以及形成冷凝，影响反应气体与芯片的正常反应，进而严重影响生产效率及产品良率。在实际生产中，LAMTCP9400的输气装置中所发生的溴化氢(HBr)冷凝造成了大量的闪存产品的异常。

发明内容

本发明提出一种输气装置，有效地避免了所运输气体的冷凝，并且实施简单，应用方便，成本低廉，较为明显地节约了生产成本和工艺时间，提高了生产效率。

为了实现上述技术目的，本发明提出一种输气装置，至少包括：输气管道，用于运输反应气体；加热装置，用于对所述输气管道中的气体进行加热。

可选的，所述反应气体为在常温下容易液化或冷凝的气体。

可选的，所述反应气体为溴化氢或氯化硼。

可选的，所述加热装置为贴附于所述干燥管道外侧的加温带。

可选的，通过控制所述加温带贴附于所述干燥管道外侧的缠绕面积，或通过控制加温带自身的温度，实现所述加热装置对所述干燥管道中惰性气体的温度调节。

可选的，所述加热装置的温度为35至40摄氏度。

本发明的有益效果为：通过对运输过程中的反应气体进行加热，升高反应气体的温度，从而有效地避免了反应气体在运输过程中产生冷凝，并且结构简单，实施方便，成本低廉，易于有效地利用现有的机台设备，从而节省了生产成本，提高了生产效率。

附图说明

图1为现有腔室的结构示意图；

图2为本发明输气装置一种实施方式的剖面结构示意图。

具体实施方式

发明人发现，为了不影响生产效率，延长干燥机械握爪的时长通常不太现实，而为了实现对机械握爪进一步的彻底干燥，可通过改善其干燥温度来实现。事实上，现有生产流程中，对机械握爪的清洗和干燥通常都是在常温下进行的，特别是干燥过程，而发明人经过多次试验发现，提高干燥温度能够有效增强机械握爪的干燥效果。

下面将结合具体实施例和附图，对本发明输气装置进行详细阐述。

参考图2，本发明还提供了输气装置的一种具体实施方式，至少包括：

输气管道110，用于运输反应气体；

加热装置120，用于对所述输气管道中的气体进行加热。

具体来说，输气管道110可采用现有工具台中所设计的气体管道。所运输的反应气体通常为在常温下容易液化或冷凝的气体，例如，其具体可为溴化氢或氯化硼。

在一种实施方式中，加热装置120可采用贴附于输气管道110外侧的加温带，对输气管道110中所运输的反应气体进行加热。在实际应用过程中，可根据实际生产需要，对加热装置120的温度进行调节而实现所述反应气体的加热温度，例如，可将加热装置120的温度设置为35摄氏度至40摄氏度，从而能够明显地改善加热后的反应气体较容易出现的冷凝问题，提高气体传输的稳定性。在具体实现中，调节加热装置120对反应气体的加热温度，可通过控制加温带贴附于输气管道110外侧的缠绕面积来实现，也可通过控制加温带的温度来调节。

本领域技术人员应能理解，在上述各实施方式中，例如气体输送、加热等工艺的具体实现和步骤并不对本发明机输气装置的发明构思造成限制，上述各工艺步骤中可采用但并不限于现有的常规工艺参数、原料及设备。

相较于现有技术，本发明输气装置通过对所运输的反应气体预先进行加热，然后再将其通入反应腔室，不仅有效地避免了反应气体在处于常温环境的运输管道中容易产生的冷凝现象，提高了气体运输的稳定性，增加了实际参与腔室反应的气体含量，改善了产品良率，并且结构简单，实施方便，易于有效地利用现有的机台设备，从而节省了生产成本，提高了生产效率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。