[发明专利]一种双层微测辐射热计及其制作方法

权利要求书

1.一种双层微测辐射热计，包括微桥结构，该微桥结构由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成，所述上桥面设有一层或多层光吸收材料，下桥面包含支撑与绝缘层、金属电极、热敏电阻薄膜、钝化及调控层，下桥面与衬底之间形成下层光学谐振腔，上桥面及下桥面之间形成上层光学谐振腔，其特征在于，上桥面和下桥面之间由两根连接柱相连接，且下桥面的表面设置有一层由金属构成的热量传输层。

2.根据权利要求1所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述上桥面由一层光吸收材料构成时，所述光吸收材料为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氮化硅和氧化硅复合薄膜五种薄膜材料当中的一种。

3.根据权利要求1所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述上桥面设有多层光吸收材料所时，结构为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、氮化硅与氧化硅复合膜当中的一种和金属层交叉构成的一层或多层复合薄膜所组成，其中，复合膜中的金属为金属Al、或金属Fe、Co、Ni、Ti、TiN_x、TiO_x、V、VO_x、VN_x、Cr、Pt、Au、Cu、Ag、NiCr合金当中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述下桥面共包含五层薄膜材料，位置关系如下：下桥面的最底层是一层非晶氮化硅薄膜，作为微桥的支撑与绝缘层；往上第二层是一层热敏电阻薄膜、往上第三层是金属电极；往上第四层是另一层非晶氮化硅薄膜，作为电极和热敏薄膜的钝化保护及应力调控层；往上第五层是由金属构成的热量传输层，覆盖在非晶氮化硅钝化层的表面。

5.根据权利要求1所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述下桥面共包含五层薄膜材料，位置关系如下：下桥面的最底层是一层非晶氮化硅薄膜，作为微桥的支撑与绝缘层；往上第二层是金属电极；往上第三层是热敏电阻薄膜；往上第四层是另一层非晶氮化硅薄膜，作为电极和热敏薄膜的钝化层以及器件应力的调控层；往上第五层是由金属构成的热量传输层，覆盖在非晶氮化硅钝化层的表面。

6.根据权利要求1、4和5任一所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述的金属电极为金属Al、或金属Au、Ti、TiN_x、TiSi_x、TiW_x、W、WSi_x、Ni、NiSi_x、Ta、TaN_x、Fe、Pt、Cu、Ag、NiCr合金当中的一种。

7.根据权利要求1、4和 5任一所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述的热敏电阻材料为氧化钒薄膜、或氧化钛薄膜、非晶硅薄膜、氧化钒复合膜、氧化钛复合薄膜、非晶硅复合膜当中的一种。

8.根据权利要求1、4和5任一所述的双层微测辐射热计，其特征在于，所述的热量传输层为金属Al、或金属Au、Ti、TiN_x、TiSi_x、TiW_x、W、WSi_x、Ni、NiSi_x、Ta、TaN_x、Fe、Pt、Cu、Ag、NiCr合金当中的一种或几种。