[发明专利]实现高动态CMOS图像传感器的方法

权利要求书

1.一种实现高动态CMOS图像传感器的方法，所述CMOS图像传感器为4T结构的CMOS图像传感器，包括复位晶体管、传输晶体管、源跟随晶体管和行选通晶体管，所述传输晶体管和复位晶体管之间为浮置扩散区，所述浮置扩散区位于阱区内；

其特征在于，包括：

向所述复位晶体管输入第一时序脉冲信号，控制所述复位晶体管在有脉冲信号时开启以使所述浮置扩散区复位；

向所述浮置扩散区所在的阱区输入第二时序脉冲信号，所述第二时序脉冲信号的脉冲时序与所述第一时序脉冲信号的脉冲时序相同，所述第二时序脉冲信号与外界光强匹配，以使所述浮置扩散区的结电容为随外界光强变化的可变电容。

2.如权利要求1所述的实现高动态CMOS图像传感器的方法，其特征在于，在所述浮置扩散区为N型掺杂区、所述阱区为P型阱区时，所述第一时序脉冲信号为正脉冲信号；

在所述外界光强大于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为正脉冲信号；在所述外界光强小于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为负脉冲信号；在所述外界光强等于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为零。

3.如权利要求1所述的实现高动态CMOS图像传感器的方法，其特征在于，在所述浮置扩散区为P型掺杂区、所述阱区为N型阱区时，所述第一时序脉冲信号为负脉冲信号；

在所述外界光强大于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为负脉冲信号；在所述外界光强小于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为正脉冲信号；在所述外界光强等于预定光强时，所述第二时序脉冲信号为零。

4.如权利要求1所述的实现高动态CMOS图像传感器的方法，其特征在于，还包括：向所述传输晶体管输入第三时序脉冲信号，控制所述传输晶体管在有脉冲信号时开启，以使感光二极管收集的光生电荷传入所述浮置扩散区。

5.如权利要求1所述的实现高动态CMOS图像传感器的方法，其特征在于，还包括：在感光二极管收集的光生电荷传入所述浮置扩散区后，控制所述行选通晶体管开启，所述行选通晶体管通过所述源跟随晶体管读出输出信号。