[发明专利]一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法

权利要求书

1.一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法，其步骤主要分为以下六步：1）将硅片放入扩散炉中，将温度控制在810℃~820℃，再通入25000sccm的大氮和3000sccm干氧，通入时间为300s；2）进行扩散，将温度控制在810℃~820℃，再通入25000sccm的大氮，1200sccm的干氧和1500sccm的小氮，通入时间控制在600s；3）进行升温处理，将温度升到860℃~870℃，并通入大氮和干氧，升温时间为300s；4）进行深扩散，将温度控制在860℃~870℃，再通入25000sccm的大氮，1200sccm的干氧和1500sccm的小氮，扩散时间为1300s；5）饱和：通入25000sccm的大氮和2000sccm的干氧，其中通入时间为500s；6）进行降温处理，将硅片取出。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于步骤（2）和（4）小氮和干氧流量比，以及（3）中增加了一步升温过程。

3.权利要求1中一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法，其应用在晶硅太阳电池扩散工艺中，具有良好效果。