[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在衬底上形成低K介质层；

用氧等离子体对低K介质层表面进行轰击；

在所述低K介质层的上方形成光刻胶层；

通过灰化去除所述光刻胶层，在所述灰化过程中，向所述光刻胶层通入含氮的气体；

在所述低K介质层上形成硬掩模层；

进行清洗。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度在的范围内。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述向所述光刻胶层通入含氮的气体的步骤包括：向所述光刻胶层通入氮气，同时还向光刻胶层通入氨气、联氨中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过灰化去除所述光刻胶层的步骤包括：射频功率源的功率在1000～5000W的范围内，气压在0.5～6mtorr的范围内，氮气的流量在1000～5000sccm的范围内，氨气的流量在1000～5000sccm的范围内。

5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过灰化去除所述光刻胶层的步骤包括：射频功率源的功率在1000～5000W的范围内，气压在0.5～6mtorr的范围内，氮气的流量在1000～5000sccm的范围内，联氨的流量在1000～5000sccm的范围内。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述进行清洗的步骤包括：通过稀释的氢氟酸对所述半导体器件进行清洗。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸中水和氢氟酸的体积比为300∶1。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成低K介质层的步骤包括，所述低K介质层为SiCOH介质。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方法形成所述SiCOH介质层。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在通过灰化去除所述光刻胶层，在所述灰化过程中，向所述光刻胶层通入含氮的气体的步骤之后，在所述低K介质层的表面形成SiCOHN介质。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料为氧化硅，所述在所述低K介质层上形成硬掩模层的步骤中，形成所述氧化硅的反应物为TEOS。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，在衬底上形成低K介质层的步骤包括：在提供衬底之后，形成低K介质层之前，在衬底上形成阻挡层。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为铜阻挡层或铝阻挡层。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为铜阻挡层，所述铜阻挡层为氮化硅。