[发明专利]硅晶片太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种硅晶片太阳能电池的制造方法，其包括以下步骤：

晶片制绒化步骤；p-n接面形成步骤；湿制程表面处理步骤；形成钝化层及抗反射层步骤；以及电极形成步骤；其特征为：

所述湿制程表面处理步骤流程包括：

进行背面磷硅玻璃去除步骤，使用第一蚀刻溶液，调整液面使该第一蚀刻溶液接触晶片的背面，或接触晶片的背面及侧面，除去该晶片的背面上的磷硅玻璃，或该晶片的背面及侧面上的磷硅玻璃，其中所述第一蚀刻溶液对二氧化硅的蚀刻率与对硅的蚀刻率的比率至少为10∶1，所述晶片的正面定义为形成太阳能电池后光入射的面，而晶片的背面定义为与正面相对的面；

进行边缘隔绝步骤，使用第二蚀刻溶液，调整液面使该第二蚀刻溶液接触晶片的正面与背面，或只接触晶片的背面、侧面及因液体表面张力而接触晶片正面的外缘，对该晶片的背面与侧面进行表面蚀刻，使该晶片的正面与背面在晶片的边缘达成电性隔绝，其中所述第二蚀刻溶液对硅的蚀刻率与对磷硅玻璃氧化物的蚀刻率的比率至少为5∶1；以及

进行双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤，使用第三蚀刻溶液，接触晶片的正面与背面，除去该晶片表面上的磷硅玻璃及其它氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述湿制程表面处理步骤流程还包括：

在进行所述双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤后，进行在正面形成浅接面结构的步骤，使用第四蚀刻溶液，接触晶片的正面与背面，蚀刻晶片表面上的硅层，减少晶片正面的p-n接面与晶片正面的表面的距离，而正面形成浅接面结构。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述边缘隔绝步骤，使用第二蚀刻溶液，在背面蚀刻约0.5μm～15μm厚度的硅层，形成较平坦的表面结构，实质上达成背面抛光效果，提高该晶片背面的反射率。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述正面形成浅接面结构的步骤中，晶片正面上的硅层的蚀刻量为20nm至200nm的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻溶液为包含氟离子的酸性溶液，所述第二蚀刻溶液为碱性溶液，所述第三蚀刻溶液为包含氟离子的酸性溶液。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述第一蚀刻溶液为包含氟离子的酸性溶液，所述第二蚀刻溶液为包含碱性溶液，所述第三蚀刻溶液为包含氟离子的酸性溶液，所述第四蚀刻溶液为包含碱性溶液。

7.如权利要求5所述的方法，

其中所述第一蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵及三氟乙酸；

其中所述第二蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠及碳酸钾；

其中所述第三蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵及三氟乙酸。

8.如权利要求6所述的方法，

其中所述第一蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵及三氟乙酸；

其中所述第二蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠及碳酸钾；

其中所述第三蚀刻溶液包含选自下列群组之一：氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵及三氟乙酸；

其中所述第四蚀刻溶液包含选自下列群组之一：四甲基氢氧化铵、乙二胺与邻苯二酚的水溶液、联胺、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠及碳酸钾。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述湿制程表面处理步骤流程是藉由滚轴传送机构沿水平方向传送晶片，依序进行该湿制程表面处理步骤流程的各步骤；该湿制程表面处理步骤流程的各步骤之间，即所述背面磷硅玻璃去除步骤与所述边缘隔绝步骤之间，以及所述边缘隔绝步骤与所述双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤之间，还包含进行清洗步骤，利用去离子水清洗晶片。

10.如权利要求2所述的方法，其中所述湿制程表面处理步骤流程是藉由滚轴传送机构沿水平方向传送晶片，依序进行该湿制程表面处理步骤流程的各步骤；该湿制程表面处理步骤流程的各步骤之间，即所述背面磷硅玻璃去除步骤与所述边缘隔绝步骤之间，所述边缘隔绝步骤与所述双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤之间，以及所述双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤与所述在正面形成浅接面结构的步骤之间，还包含进行清洗步骤，利用去离子水清洗晶片。