[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，其特征在于包含：

一散热绝缘基板；

一第一金属层，形成于该散热绝缘基板的一表面上；

一发光二极管磊晶层；以及

一第二金属层，形成于该发光二极管磊晶层上，与该第一金属层接合。

2.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该发光二极管磊晶层之上形成该第二金属层的一电极层，借助微影蚀刻、网印技术、激光划线及纳米印刷其中之一使该电极层的表面粗糙化。

3.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板的该表面进行微影蚀刻而使该表面粗糙化。

4.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该第一金属层通过金属镀膜来制作金属图案。

5.根据权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该金属镀膜是真空镀膜、化学电镀、电镀及网印其中之一。

6.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该发光二极管磊晶层包含一n型电极层、一发光层及一p型电极层，该n型电极层是一n型氮化镓层，该发光层是一氮化铟镓薄膜层，该p型电极层是一p型氮化镓层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板是氮化硅、氮化铝、氮化硼及碳化硅之其中之一或其复合材料。

8.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板具有500W/(K-m)至100W/(K-m)的热传导系数及10KV至0.5KV的绝缘崩溃电压。

9.一种发光二极管晶粒，其特征在于包含：

一散热绝缘基板，在其一第一表面及一第二表面之间形成通孔；

一第一金属层，形成于该散热绝缘基板的该第一表面、该第二表面及通孔；

一发光二极管磊晶层；以及

一第二金属层，形成于该发光二极管磊晶层上，与该第一金属层接合。

10.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该发光二极管磊晶层之上形成该第二金属层的一电极层，借助微影蚀刻、网印技术、激光划线及纳米印刷其中之一使该电极层的表面粗糙化。

11.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板的该第一表面进行一微影蚀刻而使该第一表面粗糙化。

12.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该第一金属层通过金属镀膜来制作金属图案。

13.根据权利要求12所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该金属镀膜是真空镀膜、化学电镀、电镀及网印其中之一者。

14.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该发光二极管磊晶层包含一n型电极层、一发光层及一p型电极层，该n型电极层是一n型氮化镓层，该发光层是一氮化铟镓薄膜层，该p型电极层是一p型氮化镓层。

15.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板以钻孔、激光钻孔及黄光微影蚀刻技术之其特征在于一者在其该第一表面及该第二表面之间形成通孔。

16.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板是氮化硅(Si₃N₄)、氮化铝、氮化硼及碳化硅其中之一或其复合材料。

17.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该散热绝缘基板具有500W/(K-m)至100W/(K-m)的热传导系数及10KV至0.5KV的绝缘崩溃电压。

18.一种发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于包含：

提供一散热绝缘基板；

形成一第一金属层于该散热绝缘基板的一表面上；

形成一第二金属层于一发光二极管磊晶层上；以及

接合该第一金属层与该第二金属层。