[发明专利]以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺

权利要求书

1.以覆铜铝线为背极的太阳能电池，包括：基板，第一个重掺杂的结晶硅层位于基板之上，轻掺杂结晶硅层位于第一个重掺杂的结晶硅层上，第二个重掺杂的硅层位于轻掺杂的结晶硅层上，前端电极栅位于第二重掺杂的结晶硅层上，背面电极栅位于基板的背面，其特征在于所述的背面电极栅包括铝线，所述的铝线层外覆有铜层。

2.根据权利要求1所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的前端电极栅包括银线，所述的银线层外覆有铜层。

3.根据权利要求1或2所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的铝线包括铝和一个或多个下列材料：玻璃体、银、钯、铬、锌和锡。

4.根据权利要求1或2所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的基板是MG - Si衬底。

5.根据权利要求1或2所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的背面电极栅图案包含一个或多个：直线，交叉线，曲折线和圆。

6.根据权利要求1或2所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的重掺杂的第一层结晶硅和轻掺杂的结晶硅层为p型掺杂，其中第二个重掺杂的结晶硅层是N型掺杂。

7.根据权利要求1或2所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的第二重掺杂的结晶硅层上还沉积有绝缘层。

8.根据权利要求8所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池，其特征在于所述的绝缘层包括至少二氧化硅，氮化硅和SiOxNy之一。

9.以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，包括：在基板的BSF沉积第一层重掺杂的晶体硅，在重掺杂的晶体硅上沉积一层轻掺杂的晶体硅层作为基本层，在轻掺杂的晶体硅层上沉积第二层重掺杂晶体硅层作为发射极层，在基板前端制作电极栅，在基板的背面制作铝线电极栅以及在所述的背面铝线电极栅外覆铜层的步骤。

10.根据权利要求9所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺的生产工艺，其特征在于所述的背面铝线电极栅外覆铜层的步骤采用熔融沉积法：将制作好铝线电极栅的基板高温加热到630~650℃，使铝线呈熔化状态，喷涂氯化铜粉末，待铝将铜置换出来后，水洗基板。

11.根据权利要求9所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺的生产工艺，其特征在于所述的在基板前端制作电极栅步骤中，前端电极栅采用银线制作，并在银线电极栅的外表面自选择性电镀铜层。

12.根据9或10或11权利要求所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于所述的背面电极栅是可焊性的，其中背面电极栅形成使用一个单一的印刷步骤。

13.根据权利要求12所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于还包括：在第二重掺杂的结晶硅层上沉积绝缘层的步骤。

14.根据权利要求13所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于所述的绝缘层包括依次沉积的钝化层和抗反射层的步骤。

15.根据权利要求14所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于所述的绝缘层采用至少二氧化硅，氮化硅和SiOxNy之一进行沉积。

16.根据权利要求15所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于所述的第一层重掺杂的结晶硅层和轻掺杂的结晶硅层使用化学气相沉积法（CVD）技术。

17.根据权利要求15所述的以覆铜铝线为背极的太阳能电池的生产工艺，其特征在于所述的背面电极栅形成使用丝网印刷或溶胶涂布依次印刷。