[发明专利]对称差分非易失性存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

第一晶体管，具有源极、漏极和栅极；

第一电容器，具有第一板和第二板，其中所述第一板耦合到所述第一晶体管的所述栅极；

第二晶体管，具有源极、漏极和栅极，其中所述第二晶体管的所述源极耦合到所述第一电容器的所述第二板；以及

第二电容器，具有第三板和第四板并且具有与所述第一电容器近似相同的面积，其中所述第三板耦合到所述第二晶体管的所述栅极并且所述第四板耦合到所述第一晶体管的所述源极。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一晶体管的所述源极和漏极形成于称为第一本体的第一井区中，并且其中所述第一电容器在所述第一井区之上延伸。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第二晶体管的所述源极和漏极形成于称为第二本体的第二井区中，并且其中所述第二电容器在所述第二井区之上延伸。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中第一和第二井区形成于相同的共同井或者衬底中。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述相同的共同井或者衬底为外延层。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：

第一位线，耦合到所述第一晶体管的所述漏极；以及

第二位线，耦合到所述第二晶体管的所述漏极；

其中第一和第二位线能操作用于从所述存储器单元配合地输送差分电流或者差分电压，所述差分电流或者差分电压表明存储于所述存储器单元中的数据值。

7.根据权利要求1所述的存储器单元：

其中所述第一晶体管的本体耦合到所述第一晶体管的所述源极；并且

其中所述第二晶体管的本体耦合到所述第二晶体管的所述源极。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：

控制电路，用于通过在与第二和第四电容器板关联的控制端子两端施加差分电压来向所述储存器单元写入第一数据状态，其中所述第二电容器板在施加所述差分电压以写入所述第一数据状态期间处于比所述第四电容器板更高的电压。

9.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述控制电路能够通过在与第二和第四电容器板关联的所述控制端子两端施加所述差分电压来向所述存储器单元写入第二数据状态，其中所述第二电容器板在施加所述差分电压以写入所述第二数据状态期间处于比所述第四电容器板更低的电压。

10.根据权利要求3所述的存储器单元，其中第一和第二电容器分别形成于第一和第二井区之上，并且每个电容器包括其间具有绝缘层的一对传导板。

11.一种存取存储器单元的方法，其中所述存储器单元包括：第一晶体管，具有源极、漏极和栅极；第一电容器，具有第一板和第二板，其中所述第一板耦合到所述第一晶体管的所述栅极；第二晶体管，具有源极、漏极和栅极，其中所述第二晶体管的所述源极耦合到所述第一电容器的所述第二板；以及第二电容器，具有第三板和第四板，其中所述第三板耦合到所述第二晶体管的所述栅极并且所述第四板耦合到所述第一晶体管的所述源极；

其中向所述存储器单元写入第一数据状态包括：

将所述第二电容器板驱动成近似第一电压；

在将所述第二电容器板驱动成近似所述第一电压时将所述第四电容器板驱动成近似第二电压，其中所述第二电压不同于所述第一电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中向所述存储器单元写入第二数据状态包括：

将所述第二电容器板驱动成近似所述第二电压；

在将所述第二电容器板驱动成近似所述第二电压时将所述第四电容器板驱动成近似所述第一电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一晶体管的源极和漏极设置于称为第一本体的第一井中并且其中所述第一电容器设置于所述第一井之上，并且其中所述第二晶体管的源极和漏极设置于称为第二本体的第二井中并且其中所述第二电容器设置于所述第二井之上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中第一和第二本体设置于共同衬底上，并且其中在向所述存储器单元写入第一和第二状态时所述共同衬底设定成近似第一或者第二电压。