[发明专利]垂直发光装置

说明书

技术领域

本公开涉及一种发光装置，更具体地讲，涉及一种垂直发光装置。

背景技术

发光装置是将电能转换成光并发光的固体装置中的一种，并被应用于照明、液晶显示器(LCD)背光单元、显示设备等。例如，发射可见光的发光装置被用作具有各种用途的光源，例如信号灯、机动车停止灯(automobile stop light)、景观照明灯(view illumination light)等。为了扩大它们的应用范围，发光装置需要提高发光效率和可靠性。光其是，垂直发光装置需要通过增加反射效率来提高发光效率。

发明内容

本发明提供了一种能够增加反射效率的垂直发光装置。

其它方面将在以下的描述中部分阐述，另一部分将从描述中变得清楚，或者可以通过本实施例的实践而了解。

根据本发明的一方面，垂直发光装置包括：基底；第一电极，设置在基底的底表面上；反射层，设置在基底的顶表面上；电流扩布层，设置在反射层上并包括具有朝着其顶部变窄的宽度的凹槽；光产生层，设置在电流扩布层上；第二电极，设置在光产生层上。

所述凹槽可形成在电流扩布层的底表面中。所述凹槽可形成在第二电极的底部中。所述凹槽的形状可与第二电极的形状对应。

所述凹槽可充有空气。所述凹槽可填充有反射材料，所述反射材料在电流扩布层和凹槽之间的边界表面反射从光产生层产生的光。

所述凹槽可具有三角形横截面。

所述凹槽的顶表面可具有均匀一致的宽度。所述凹槽的顶表面可具有平坦的形状。所述凹槽的顶表面可具有将从光产生层产生的光反射到第二电极外部的形状。所述凹槽的顶表面可具有凹入或者凸出的形状。

所述光产生层可包括形成在电流扩布层上的第一覆层、形成在第一覆层上的活性层和形成在所述活性层上的第二覆层。第一覆层可由p型半导体材料形成，第二覆层可由n型半导体材料形成，电流扩布层可由p形半导体材料形成。第一电极可由p型电极形成，第二电极可由n型电极形成。所述基底可由导电材料形成。

附图说明

通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其它方面将会变得清楚和更加易于理解，其中：

图1是示出根据本发明的实施例的垂直发光装置的截面图；

图2是示出根据本发明的另一实施例的垂直发光装置的截面图；

图3是示出根据本发明的另一实施例的垂直发光装置的截面图；

图4是示出根据本发明的另一实施例的垂直发光装置的截面图；

图5是示出根据本发明的另一实施例的垂直发光装置的截面图。

具体实施方式

以下，将参照附图更加全面地描述本实施例，其中，本发明的示例性实施例在附图中被示出。但是，本实施例可以以很多不同的形式被体现，并且不应该被解释为限于在此所阐述的示例性实施例。相反的，提供这些实施例在于使本公开将是彻底的和完整的，并且将本发明的范围全面地传达给本领域的普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，层和区域的长度和尺寸会被夸大。相同的标号始终表示相同的元件。应该理解的是，当材料层基底或者层被称为在另一材料层基底或者层“上”时，该材料层基底或者层可以直接位于另一材料层基底或者层“上”，或者可以存在中间的材料层基底或者层。此外，在下面的实施例中形成每层的材料是示例性的，因此，可以使用其他的材料。

图1是示出根据本发明的实施例的垂直发光装置的截面图。

参照图1，本实施例的垂直发光装置包括基底110、设置在基底110的底表面上的第一电极151、设置在基底110的顶表面上的反射层120、设置在反射层120上的电流扩布层130、设置在电流扩布层130上的光产生层140以及设置在光产生层140上的第二电极152。光产生层140可包括第一覆层141、活性层142和第二覆层143。

基底110可由导电材料形成。例如，硅基底可被用作基底110。但是，本实施例不限于此，由其它各种材料形成的基底可被用作基底110。第一电极151设置在基底110的底表面上。在这点上，第一电极151可以是p型电极。第一电极151可以形成为完全遮盖基底110的底表面。第一电极151可以由良好的导电材料例如金属形成。