[发明专利]电容式传声器阵列芯片无效
申请号: | 201110295838.4 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102448002A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 樱内一志;铃木民人;铃木幸俊 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 传声器 阵列 芯片 | ||
1.一种电容式传声器阵列芯片,包括:
基板,具有贯通所述基板的厚度的多个开口;
第一绝缘层,形成在所述基板的每个所述开口的外周边中;
第一电极层,形成在所述第一绝缘层之上,并且延伸在所述基板的每个所述开口之上;
第二绝缘层,在所述基板的每个所述开口的所述外周边中形成在所述第一电极层之上;
第二电极层,形成在所述第二绝缘层之上,并且相对于所述第一电极层定位且所述第一电极层与所述第二电极之间隔着空气间隙,
其中多个电容式传声器结构采用在所述基板的所述多个开口上方的所述第一绝缘层、所述第一电极层、所述第二绝缘层和所述第二电极层形成且具有多个空气腔,
其中所述多个电容式传声器结构通过多个桥并列连接,并且二维地排列在所述基板上,且所述多个电容式传声器结构之间具有多个沟槽,
其中所述多个沟槽形成为围绕所述多个桥,从而至少所述第二绝缘层部分地从所述多个沟槽去除,并且
其中所述多个桥采用用作连接所述多个电容式传声器结构的配线的第二电极层形成。
2.根据权利要求1所述的电容式传声器阵列芯片,其中所述多个桥包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以便支撑所述配线。
3.根据权利要求1所述的电容式传声器阵列芯片,其中在所述多个桥下方的所述配线和所述基板之间的预定区域中去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
4.根据权利要求1所述的电容式传声器阵列芯片,其中所述基板由单晶硅构成,并且其中所述第一电极层与所述基板电导通,从而所述多个电容式传声器结构电连接到所述基板。
5.根据权利要求1所述的电容式传声器阵列芯片,其中构成所述空气腔的所述多个开口连接在一起,从而所述多个电容式传声器结构共享单个的大空气腔。
6.一种微机电系统变换器阵列芯片的制造方法,该微机电系统变换器阵列芯片包括形成在基板上的多个结构,且所述多个结构的每个包括贯通所述基板的开口、设置在所述开口上方的膜片以及与所述膜片相对设置的板,该制造方法包括:
在所述基板的表面上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第一电极层;
通过图案化所述第一电极层而共同地形成包括在所述多个结构中的多个膜片;
形成覆盖所述第一绝缘层和所述第一电极层的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成第二电极层;
通过图案化所述第二电极层而共同地形成包括在所述多个结构中的多个板以及连接在所述板之间的多个桥;
通过去除至少一部分所述第二绝缘层而形成多个沟槽,所述多个沟槽设置在所述结构的外周边且同时围绕所述桥;
在于所述多个结构周围形成所述沟槽之后实施退火;
在所述多个膜片下方形成贯通所述基板的通孔;以及
部分去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,从而暴露包括在所述多个结构中的所述多个膜片以及所述多个板。
7.根据权利要求6所述的微机电系统变换器阵列芯片的制造方法,还包括:
除了形成所述沟槽之外,进一步去除所述第一绝缘层的至少一部分。
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