[发明专利]用于等离子体显示板的后基板和包括其的等离子体显示板

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于等离子体显示板的后基板和一种包括该后基板的等离子体显示板。更具体地，本发明涉及一种用于等离子体显示板的后基板，其具有包括通过堆叠含铝层和含银层形成的双层的寻址电极，可阻止气体泄漏、表面裂纹或脱离、和电阻增加，从而确保可靠性。

背景技术

通常，含有银的电极用于等离子体显示板(PDP)的电极。因为含银电极具有高的密度，烧结后不会发生气体泄漏。但是，用银制造电极不符合成本效益，因为它高昂的价格，并由于银迁移可导致电阻的不均匀性或者电极端子短路。

因此，含铝电极已经代替含银电极。但是，在含铝电极中，铝粉可能在刻蚀PDP壁的工艺中被损坏，对铝涂层造成损坏。另外，当粘结至带式载体封装(Tape Carrier Package，TCP)，含铝电极可被分离或者降低耐久性。此外，含铝电极具有低的密度并且多孔。因此，在将前基板和后基板密封并向其引入氖气(Ne)和氙气(Xe)之后可能发生气体泄漏。

为了解决该问题，增加含铝电极的密度。在这种情况下，但是，由于铝粒子之间的颈缩增加，电阻会增加，导致PDP驱动电压增加，并使含铝电极很难应用于PDP。或者，增加玻璃粉的含量来解决这些问题时，电阻也会增加，很难驱动PDP。另外，银和铝的浆料混合物可降低银的导电性，并引起银和铝之间的电位差，因此电阻可大幅增加。使用银和铝的合金，导电性可进一步劣化。

因此，有必要开发一种用于PDP的后基板，它符合成本效益也具有高的粘合性和耐久性，因为它不会气体泄漏、阻力增加以及表面裂纹或损坏。

发明内容

本发明一方面提供了一种用于包括基板的等离子体显示板(PDP)的后基板；以及在该基板上形成并包括堆叠有含铝层和含银层的双层的寻址电极。

该双层可由含银层堆叠在含铝层上而形成。

含铝层和含银层可与基板毗邻，含铝层在寻址电极的纵向可被分为第一部分和第二部分，含银层在寻址电极的纵向可被分为第三部分和第四部分，并且双层可通过堆叠该第二部分和第三部分形成。

双层可通过在第二部分上堆叠第三部分形成。

双层可通过在第三部分上堆叠第二部分形成。

从与含银层毗邻的含铝层末端开始，双层可具有3mm或以上的长度。

双层可具有5至20μm的厚度。

寻址电极可包括厚度比为1∶0.1至1∶9的含银层和含铝层。

本发明另一个方面提供了一种包括该后基板的PDP。

附图说明

以下将结合附图进行详细描述，本发明的上述和其它方面、特点和优点将会变得显而易见，其中：

图1为根据本发明的一个示例性实施方式的PDP的后基板的截面图；

图2为根据本发明的另一个示例性实施方式的PDP的后基板的截面图；

图3为根据本发明在基板上设置寻址电极的后基板的平面图；以及

图4为根据本发明的一个示例性实施方式的PDP的透视图。

具体实施方式

现将详细描述本发明的实施方式。

本发明一方面提供了一种用于等离子体显示板(PDP)的后基板，包括基板；以及在该基板上形成并包括堆叠含铝层和含银层的双层的寻址电极。

双层可通过在含铝层上堆叠含银层形成。或者，双层可通过在含银层上堆叠含铝层形成。具体地，含银层可堆叠在含铝层上。

在此，“含铝层”和“含银层”可分别指包括铝和银作为导电粉的电极浆料组合物形成的层。

该基板可为普遍用于PDP后基板的任何基板，例如，玻璃基板。

寻址电极可包括厚度比为1∶0.1至1∶9的含银层和含铝层。在此范围内，不会发生气体泄漏和电阻增加。具体地，厚度比可为1∶1至1∶9。

在寻址电极中，含铝层和含银层可与基板毗邻，含铝层在寻址电极的纵向可被分为第一部分和第二部分，含银层在寻址电极的纵向可被分为第三部分和第四部分，并且双层可通过堆叠第二部分和第三部分形成。在此，双层可通过在第二部分上堆叠第三部分形成或者在第三部分上堆叠第二部分形成。

含铝层的第一部分和第二部分，以及含银层的第三部分和第四部分可具有的长度没有具体地限制，但根据寻址电极或其他类似物的双层的长度而变化。

含铝层的第一部分和第二部分在长度上可能没有具体地限制，但其形成要使双层具有3mm或以上的长度。

含银层的第三部分和第四部分在长度上可能没有具体地限制，但其形成要使双层具有3mm或以上的长度。