[发明专利]成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置。

背景技术

例如在CIS系太阳能电池中，作为设置于玻璃基板(钠钙玻璃)上的里面电极采用了Mo(钼)。并且，提出有由聚酰亚胺膜构成，并具备具有可挠性的基板的CIS系太阳能电池(参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-1468号公报

在此，在玻璃基板上成膜有钼层的成膜基板中，要求提高钼层与玻璃基板的粘附力。

发明内容

本发明是为了解决这种问题而完成的，其目的在于提供一种制造实现了提高玻璃基板与钼层的粘附力的成膜基板的方法、成膜基板及成膜装置。

本发明人等为了实现上述目的反复进行深入研究的结果发现：通过在玻璃基板上成膜包含氧化钼的粘附层，并在该粘附层上成膜钼层，从而能够提高钼层与玻璃基板的粘附性。

因此，基于本发明的成膜基板的制造方法，制造在玻璃基板上成膜有钼的成膜基板，其特征在于，具备：第1成膜工序，在含有氧的第1气氛中，在所述玻璃基板的表面成膜第1钼层；及第2成膜工序，在含氧率低于所述第1气氛的第2气氛中，在所述第1钼层的表面成膜第2钼层。

这种成膜基板的制造方法中，通过在含有氧的第1气氛中，在玻璃基板的表面成膜第1钼层而该第1钼层与玻璃基板坚固地粘附。而且，通过在该第1钼层的表面成膜第2钼层而该第2钼层与第1钼层坚固地粘附。即，第2钼层通过第1钼层成膜于玻璃基板上，能够实现提高第2钼层与玻璃基板的粘附力。

在此，第1成膜工序中，优选在含氧率为0.3％～5.0％的所述第1气氛中，成膜所述第1钼层。由此，能够提高玻璃基板与第1钼层的粘附力和第1钼层与第2钼层之间的粘附力。

并且，第2成膜工序中，优选比第1钼层更厚地成膜所述第2钼层。这样通过在玻璃基板上成膜膜厚厚于第1钼层的第2钼层，例如能够加厚方块电阻值较低的第2钼层的厚度。当将这种成膜基板用于太阳能电池时，能够实现低电阻且高转换率。并且，通过使方块电阻较高的第1钼层薄于第2钼层，从而提高玻璃基板与第1钼层的粘附力，且能够抑制成膜基板整体的电阻值的增加。

并且，基于本发明的成膜基板，其特征在于，具备玻璃基板、成膜于所述玻璃基板的表面且含有氧的第1钼层及成膜于所述第1钼层的表面且氧含有量少于所述第1钼层的第2钼层。

根据这种成膜基板，在玻璃基板的表面成膜含有氧的第1钼层而玻璃基板与第1钼层被坚固地粘附。而且，在该第1钼层的表面成膜氧含有量少于第1钼层的第2钼层而第1钼层与第2钼层被坚固地粘附。即，第2钼层通过第1钼层成膜于玻璃基板上，能够实现提高第2钼层与玻璃基板的粘附力。

并且，优选第2钼层的方块电阻值低于所述第1钼层的方块电阻值。这样通过在玻璃基板上成膜第1钼层，并在该第1钼层的表面成膜方块电阻值低于第1钼层的方块电阻值的第2钼层，从而设成低电阻并提高作为电极膜的功能，且能够实现提高粘附力。

在此，优选第2钼层厚于所述第1钼层。这样通过在玻璃基板上成膜膜厚厚于第1钼层的第2钼层，从而能够加厚方块电阻值较低的第2钼层的厚度。当将这种成膜基板用于太阳能电池时，能够实现低电阻且高转换率。并且，通过使方块电阻较高的第1钼层薄于第2钼层，从而提高玻璃基板与第1钼层的粘附力，且能够抑制成膜基板整体的电阻值的增加。

并且，基于本发明的成膜装置，其在玻璃基板成膜钼，其特征在于，具备：第1成膜室，在所述玻璃基板的表面成膜第1钼层；第2成膜室，在所述第1钼层的表面成膜第2钼层；及氧浓度控制部，将所述第1成膜室内设为含有氧的第1气氛，而将所述第2成膜室内设为含氧率低于所述第1气氛的第2气氛，所述第1成膜室在所述第1气氛下成膜所述第1钼层，所述第2成膜室在所述第2气氛下成膜所述第2钼层。

在这种成膜装置中，具备在玻璃基板的表面成膜第1钼层的第1成膜室，将该第1成膜室内设为含有氧的第1气氛，能够在玻璃基板上成膜第1钼层。由此，玻璃基板与第1钼层坚固地粘附。并且，成膜装置具备在第1钼层的表面成膜第2钼层的第2成膜室，将该第2成膜室内设为含氧率低于第1气氛的第2气氛，能够在第1钼层的表面成膜第2钼层。由此，第1钼层与第2钼层坚固地粘附。即，第2钼层通过第1钼层成膜于玻璃基板上，能够实现提高第2钼层与玻璃基板的粘附力。