[发明专利]IGBT器件的制造方法

权利要求书

1.一种IGBT器件的制造方法，其特征是，硅片背面用于形成p型重掺杂集电区的离子注入步骤、以及部分或全部的退火步骤均在硅片正面淀积表面金属的步骤之前；

硅片背面形成p型重掺杂集电区之后，在该p型重掺杂集电区的背面淀积一层二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述在p型重掺杂集电区的背面淀积的二氧化硅的厚度为20～50000。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述硅片背面用于形成p型重掺杂集电区的退火步骤的温度大于或等于500℃。

4.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述p型重掺杂集电区的掺杂浓度是不均匀的，在所述p型重掺杂集电区与背面金属接触处p型杂质的掺杂浓度最高，在所述p型重掺杂集电区与n型硅的接触处p型杂质的掺杂浓度最低。

5.根据权利要求4所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述p型重掺杂集电区的的掺杂浓度的最高值为1×10¹⁸～5×10²⁰atoms/cm³。

6.根据权利要求4所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述p型重掺杂集电区的掺杂浓度的最低值为3×10¹³～1×10¹⁷atoms/cm³。

7.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述IGBT器件为场阻断型，所述制造方法包括如下步骤：

第1步，在硅片正面淀积一层介质，再将硅片从背面减薄；

第2步，对硅片背面进行湿法腐蚀工艺；

第3步，在硅片的背面采用离子注入和退火工艺形成n型重掺杂场阻断区；

第4步，在硅片背面淀积一层介质；

第5步，进行硅片正面的工艺，包括：去除硅片正面第1步淀积的介质，接着在硅片中形成p阱，在硅片之上形成栅氧化层，在栅氧化层之上淀积一层多晶硅，在多晶硅层之上淀积一层介质层；

第6步，将硅片背面第4步淀积的介质去除或减薄；

第7步，在n型重掺杂场阻断区的背面形成p型重掺杂集电区；

第8步，在硅片背面淀积一层二氧化硅；

第9步，再进行硅片正面的工艺，包括：去除硅片正面第5步淀积的介质，接着刻蚀形成多晶硅栅极，在p阱中形成n型重掺杂源区，再淀积一层介质包围多晶硅栅极的侧面和顶面，在新淀积的介质中刻蚀接触孔，在接触孔底部形成p型重掺杂接触区，在接触孔中形成接触孔电极，最后在硅片表面淀积一层表面金属；

第10步，先去除硅片背面第8步淀积的介质，接着在硅片背面淀积一层背面金属。

8.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征是，所述IGBT器件为NPT型，所述制造方法包括如下步骤：

第1步，在硅片正面淀积一层介质，再将硅片从背面减薄；

第2步，对硅片背面进行湿法腐蚀工艺；

第3步，在硅片背面淀积一层介质；

第4步，进行硅片正面的工艺，包括：去除硅片正面第1步淀积的介质，接着在硅片中形成p阱，在硅片之上形成栅氧化层，在栅氧化层之上淀积一层多晶硅，在多晶硅层之上淀积一层介质层；

第5步，将硅片背面第4步淀积的介质去除或减薄；

第6步，在硅片的背面形成p型重掺杂集电区；

第7步，在硅片背面淀积一层二氧化硅；

第8步，再进行硅片正面的工艺，包括：去除硅片正面第5步淀积的介质，接着刻蚀形成多晶硅栅极，在p阱中形成n型重掺杂源区，再淀积一层介质包围多晶硅栅极的侧面和顶面，在新淀积的介质中刻蚀接触孔，在接触孔底部形成p型重掺杂接触区，在接触孔中形成接触孔电极，最后在硅片表面淀积一层表面金属；

第9步，先去除硅片背面第8步淀积的介质，接着在硅片背面淀积一层背面金属。