[发明专利]一种铋层状结构红光发射荧光粉及其制备方法和应用有效
申请号: | 201110295380.2 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102424751A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 马谦;吕孟凯;杨萍;张爱玉;曹永强 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C09K11/74 | 分类号: | C09K11/74;H01L33/50 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250022 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 层状 结构 红光 发射 荧光粉 及其 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明涉及一种红光发射荧光粉及其制备方法和应用,具体涉及一种具有铋层状结构(Aurivillius结构)的红光发射荧光粉及其制备方法和应用,属于发光材料技术领域。
背景技术
自从上世纪六十年代,人们研制成功了Y2O3:Eu3+和YVO4:Eu3+红光发射荧光粉并将其推广在彩色电视机中以来,稀土掺杂红光发射荧光粉得到了迅猛发展,广泛应用在光致发光、阴极射线发光以及X射线发光等各种彩色显示和照明领域如阴极射线管(CRT)、平板显示(FPD)、等离子显示(PDP)、场致发射(FED)以及固态照明(SSL)中。
最近,三基色稀土掺杂荧光材料在新一代彩色电视和第四代照明光源白光LED中的应用显示了其庞大的市场前景,它们主要利用了红、绿、蓝三种基色荧光粉在外场作用下发出不同强度的三色光搭配的原理。基于AlGaN(350~360 nm)和GaN(390~400 nm)紫光LED激发的三基色荧光粉是目前研究的热点。蓝基色和绿基色的荧光粉已基本达到要求,但红光发射荧光粉由于自身亮度不高、显色性差等缺陷限制了三基色荧光粉的发展。
因此,探索新型的无机稀土红光发射荧光材料是当前研究的重要方向,而选择合适的基质材料被认为是最有效的解决途径。此外,传统荧光粉的制备方法主要是氧化物的高温(>1300℃)固相反应法,该方法存在反应过程难以控制,所得产物化学计量比不准确,无法使激活离子在基质中均匀分布的缺点,从而降低了荧光体的发光强度和色度均匀性。如何改进荧光材料的制备工艺来提高其发光性能,也成为现阶段研究的难点。
发明内容
本发明针对现有红光发射荧光粉在制备和实际应用中存在的问题,提供一种基于铋层状结构(Aurivillius结构)的红光发射荧光粉,该结构的荧光粉化学稳定性好、发光亮度高。
本发明还提供了该荧光粉的制备方法,过程安全、简单、易于控制。
本发明还提供了该荧光粉的应用,由于其优良的性能,特别是在AlGaN(350~360 nm)和GaN(390~400 nm)紫光LED激发下均能得到发光强度较大的红光发射峰,因此可应用在白光LEDs照明及显示领域中。
本发明是通过以下措施实现的:
一种铋层状结构红光发射荧光粉,其特征是,化学通式为:Bi3-3xNbTiO9:xEu3+,0.001≤x≤0.15。
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