[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本发明关於一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池, 其目的: 系将此设计充分吸收太阳光频谱，以提升硅薄膜太阳能电池效率。

背景技术

目前，在所有薄膜太阳能电池的开发中皆致力於提升太阳能电池的效率，以藉此降低薄膜太阳能电池的成本。业界关於硅薄膜太阳能电池的开发多为非晶硅薄膜，或是双结串联硅薄膜。其中非晶硅薄膜能隙为1.8电子伏特，双结串联硅薄膜则为能隙1.8电子伏特的非晶硅薄膜与能隙1.1电子伏特的微晶硅薄膜的串联组合，但此两者皆无法充份完全吸收太阳光频谱。

发明内容

本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。

兹将本发明配合附图，详细说明如下：请参阅第一图，为本发明之动作流程方块示意图。由图中可知，首先在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层，接著沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜，再接著高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜，再接著沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜，最后为沉积透明导电层三、金属电极。

请参阅第二图，第二图是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图。在玻璃11上依续沉积第一透明导电层12、金属背电极13与第二透明导电层14。

请参阅第三图，第三图是沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜之示意图。在第二透明导电层14上依续沉积高温N型微晶硅薄膜21、高温I型微晶硅薄膜22、高温P型微晶硅薄膜23。

请参阅第四图，第四图是沉积高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜之示意图。在高温P型微晶硅薄膜23上依续沉积高温N型非晶硅薄膜31、高温I型非晶硅薄膜32、高温P型非晶硅薄膜33。

请参阅第五图，第五图是沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜之示意图。在高温P型非晶硅薄膜33上依续沉积低温N型非晶硅薄膜41、低温I型非晶硅薄膜42、低温P型非晶硅薄膜43。

请参阅第六图，第六图是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。在低温P型非晶硅薄膜43上依续沉积第三透明导电层51、金属电极52。

附图说明

下面结合附图与实施例对本发明进一步说明;第一图是本发明之动作流程方块示意图;第二图是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图;第三图是沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜之示意图;第四图是沉积高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜之示意图;第五图是沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜之示意图;第六图是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。

主要元件符号说明:11 … 玻璃12 … 第一透明导电层13 … 金属背电极14 … 第二透明导电层21 … 高温N型微晶硅薄膜22 … 高温I型微晶硅薄膜23 … 高温P型微晶硅薄膜31 … 高温N型非晶硅薄膜32 … 高温I型非晶硅薄膜33 … 高温P型非晶硅薄膜41 … 低温N型非晶硅薄膜42 … 低温I型非晶硅薄膜43 … 低温P型非晶硅薄膜51 … 第三透明导电层52 … 金属电极。