[发明专利]AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器，包括衬底(10)和设置在衬底(10)上面 的缓冲层(11)，其特征在于，所述缓冲层(11)的上面设置有吸收层(12)，该吸收层(12) 为非故意掺杂的300nm厚的n-Al_0.6Ga_0.4N层，载流子浓度约为8×10¹⁵cm^-3，吸收层(12)的上 面设置有SiO₂层(13)和肖特基接触电极(14)。

2.根据权利要求1的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器，其特征在于，所述衬底(10) 为蓝宝石材料。

3.根据权利要求1的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器，其特征在于，所述肖特基接 触电极(14)为Ni/Pt/Au金属层，为30nm/20nm/80nm，为肖特基接触叉指电极结构，即交 叉手指状，指长996μm，指宽为4μm，指间距为4μm，面积1mm×1mm。

4.根据权利要求1的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器，其特征在于，该探测器的响 应范围为200～272nm。

5.权利要求1的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器的制备方法，包括如下步骤：

①采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底(10)上沉积一层AlN缓冲层(11)；

②在步骤①的缓冲层(11)上面，采用金属有机化学气相沉积方法生长一层非故意掺杂 的非故意掺杂的300nm厚的n-Al_0.6Ga_0.4N吸收层(12)，载流子浓度约为8×10¹⁵cm^-3；

③步骤②的吸收层(12)生长完成后，先后用丙酮、乙醇、去离子水清洗材料；

④在吸收层(12)上面沉积SiO₂层(13)，用等离子体刻蚀工艺刻蚀SiO₂层，刻蚀出叉 指电极图形，刻蚀深度150nm。

⑤在刻蚀出的图形上蒸发一层Ni/Pt/Au金属层做肖特基接触电极(14)，采用标准的剥 离工艺剥离出叉指电极金属条；

⑥将做好的肖特基接触金属电极在400℃下退火3min。

⑦然后进行电镀压焊点、划片、引线键合，最后封装在管壳上制成紫外探测器器件。

6.根据权利要求5的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器的制备方法，所述步骤①的AlN 缓冲层(11)的厚度为200nm。

7.根据权利要求5的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器的制备方法，所述步骤②的吸 收层(12)生长过程中用三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga、Al和N源，载气为高纯氢 气。

8.根据权利要求5的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器的制备方法，所述步骤④的SiO₂层(13)的厚度为150nm。

9.根据权利要求5的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器的制备方法，所述步骤⑤的金 属层Ni/Pt/Au为30nm/20nm/80nm。