[发明专利]芯片有效

专利信息
申请号: 201110294373.0 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103011066A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 叶哲良 申请(专利权)人: 叶哲良
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82Y30/00;B82Y10/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种芯片,并且特别地,本发明涉及一种具有高度抗破裂性的芯片。

背景技术

近年来电子产业发展突飞猛进,各种多功能的可携式电子产品如智能型手机、笔记本电脑、平板电脑等都已融入一般民众生活中,使得人们生活越来越便利。在电子产业发展的背后,位于其上游的半导体产业的成熟发展具有极大的贡献。除了民生、军事电子产业之外,能源方面如太阳能产业以及照明方面如LED产业,皆与半导体产业有相当大程度的关联性。此外,半导体的技术也可应用在生技等其它领域,其牵涉范围之广,称之为近代科技的基石也不为过。

半导体工艺制作出的芯片可广泛地利用于上述各种应用领域中,芯片的合格率可说是直接决定了终端产品的质量,因此,在芯片的材料以及制作方式上各界均以投入大量研究以确保其质量。不论其为何种应用领域的芯片,均须经过多道加工工艺,例如,晶圆切割、蚀刻、表面处理、封装、IC测试等程序,才能获得实际应用的电子元件或光电元件。

在上述各种处理芯片的工艺中,芯片常会受到程度不同的外力作用。一般而言,芯片上的各种功能结构通常设置于芯片具有最大面积的主要表面上,并且各结构常会在芯片上造成材料上的缺陷,而容易在这些缺陷上产生应力集中的现象。当所受到的外力逐渐增加时,这些区域上的应力集中现象会更加剧烈。由于目前的芯片材料都是使用脆性的材质,例如,硅晶圆,因此上述应力集中现象容易使得芯片应力集中处产生裂痕甚至导致芯片破裂,进而降低芯片合格率同时提高其生产成本。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种具有高度抗破裂性的芯片,以解决现有技术的问题。

根据一具体实施例,本发明的芯片具有多个表面,其包含在各表面中具有最大面积的一最大面,以及连接最大面边缘的侧表面。至少在侧表面上形成有具分散应力功能的纳米结构层,以分散芯片的应力。

于本具体实施例中,纳米结构层可包含多个纳米结构,例如纳米针或纳米柱。这些纳米结构分别于芯片的侧表面上形成应力集中点,当芯片受力时,纳米结构层上多个应力集中点将应力分散至整个纳米结构层上,因此,可避免应力集中在芯片的功能结构上,进而防止芯片产生裂痕甚至破裂。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1为根据本发明的一具体实施例的芯片的示意图。

图2为图1的纳米结构层的实际外观图。

图3为图2的纳米结构层的剖面示意图。

图4A为图1的芯片进行三点抗弯测试的示意图。

图4B为图4A的芯片所能承受的最大负载对应蚀刻时间的图表。

图5为根据本发明的另一具体实施例的芯片的剖面示意图。

图6为根据本发明的另一具体实施例的芯片的示意图。

图7为根据本发明的另一具体实施例的芯片的示意图。

其中,附图标记说明如下:

1、2、3、4:芯片

10、20、30、40:最大面

12、22、32、42:侧表面

14、24、34、44:纳米结构层

140:纳米针

142:纳米柱

L:参考线

具体实施方式

请参阅图1,图1为根据本发明的一具体实施例的芯片1的示意图,实务中,此芯片1可为太阳能芯片、LED芯片及半导体芯片的其中之一,或是其它以半导体工艺加工的芯片。如图1所示,芯片1上有多个表面,其中,面积最大的最大面10通常用来设置各种功能性结构于其上。以半导体芯片为例,最大面上可设置闸极、汲极或源极等电极结构,或者,芯片本身可为P型半导体,最大面上则形成有N型半导体层,反之亦然。此外,太阳能芯片或LED芯片的最大面上亦同样可设置电极等结构。须说明的是,一般的芯片为薄片状结构,其最大面通常有两面并互相相对,于此为了图面简洁起见仅标示出其中的一个最大面。

于本具体实施例中,芯片1的最大面10边缘连接有侧表面12,侧表面12根据芯片1的形状而在数量上有所不同。由于芯片1的形状为薄片形,因此侧表面12的面积相较于最大面10较小,一般而言,侧表面12上并没有空间可设置上述的功能结构。侧表面12与最大面10间具有90°的夹角,然而本发明并不限于本具体实施例的90°夹角,而可介于0°至180°之间。此外,于另一具体实施例中,侧表面及最大面的连接处可存在有导圆角。上述各种芯片形态根据使用者需求而定,本发明对此并不加以限制。

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