[发明专利]光传感器

说明书

技术领域

本发明涉及光传感器，尤其涉及在光传感器阵列的下侧配置有光源的静脉认证传感器。

背景技术

以往的静脉认证传感器，以红外光发光二极管(700～900nm)为光源，在受光侧安装CCD和用于得到对焦的图像的透镜。图12～图14表示以往的静脉认证传感器的构造。

图12是将红外光发光二极管8贴在手指1的上侧的构造，图13是在手指1的左右侧设置红外光发光二极管8的构造，图14是在手指1的左右斜向设置红外光发光二极管8的构造。

在以往的静脉认证传感器中，从放置在作为受光元件的光传感器阵列2的上方的手或手指1的上方、横向或倾斜方向入射红外光，由透镜3使从其手或手指1中射出的光汇聚，将汇聚的光向光传感器阵列2入射。静脉认证传感器由此对投影到光传感器阵列2的静脉的影子进行认证。

在日本特开2010-39594号公报及日本特开2010-97483号公报中公开了以往的静脉认证传感器。

在以往的静脉认证传感器中，由于使红外光向手或手指的内部入射来反映静脉的影子，所以需要光量。因此，静脉的影子的对比度变小，需要利用图像处理提高灵敏度。而且，在构造上，除了光传感器阵列2以外还需使用透镜3，因此在红外光发光二极管8与手或与手指之间，以及手或手指与光传感器阵列3之间需要间隔有距离，存在难以将光传感器自身小型化的问题。

发明内容

本发明是为解决上述以往技术的问题点而做出的，其目的在于提供一种能小型化设计的光传感器。

本发明的上述以及其他目的和新特征将通过本说明书的记载以及附图而变得清楚。

简单说明本申请所公开的发明中具有代表性的技术方案的概要如下。

(1)一种光传感器，其包括：多个光传感器像素配置成矩阵状而成的光传感器阵列、配置在上述光传感器阵列的下侧的背光源，上述光传感器阵列具有表面遮光膜，上述表面遮光膜包括：入射孔，其将来自上述背光源的相反侧的光入射到上述各光传感器像素；以及通过孔，其设于上述入射孔的周围，且将来自上述背光源的照射光向上述相反侧照射。

(2)在(1)中，上述背光源包括：导光板、配置在上述导光板的侧面的光源。

(3)在(2)中，包括在上述导光板的与上述光传感器阵列相反侧的面上配置的反射膜。

(4)在(1)中，上述背光源包括导光板、以及配置在上述导光板的与上述光传感器阵列相反侧的面上的光源。

(5)在(2)或(4)中，包括在上述导光板的上述光传感器阵列侧的面上配置的多个光学膜片。

(6)在(1)～(5)的任一项中，上述各光传感器像素包括：由金属膜构成的下部电极、设于上述下部电极上的无定形硅膜、以及设于上述无定形硅膜上的n型无定形硅膜、设于上述n型无定形硅膜上的上部电极(例如为ITO)。

(7)在(6)中，包括设于上述各光传感器像素之间的平坦化膜(例如，有机绝缘膜)。

(8)在(6)或(7)中，上述表面遮光膜配置在上述平坦化膜与上述上部电极之间，在上述下部电极的与上述表面遮光膜的上述贯通孔对应的部位也形成使来自上述背光源的照射光照射到上述相反侧的通过孔。

(9)在(6)～(8)的任一项中，包括设于上述下部电极与上述无定形硅膜之间的绝缘膜，上述绝缘膜在与上述各光传感器像素对应的区域具有孔，上述下部电极和上述无定形硅膜在形成于上述绝缘膜之上的孔处被电连接。

(10)在(6)～(9)的任一项中，上述下部电极形成在透明基板上。

(11)在(6)～(10)的任一项中，包括设于上述上部电极上的表面保护层。

简单说明本申请所公开的发明中具有代表性的技术方案所能得到的效果如下。

根据本发明，可提供一种能够小型化设计的光传感器。

附图说明

图1是用于说明本发明的实施方式的光传感器的构造的概略图。

图2是表示作为图1所示的背光源采用了侧光式背光源时本实施方式的光传感器概略结构的分解立体图。

图3是表示作为图1所示的背光源采用正下型背光源时本实施方式的光传感器概略结构的分解立体图。

图4A～图4I是表示在本实施方式的光传感器中、设置红外光通过孔的位置、以及孔的形状的一例的图。

图5是图1所示的光传感器阵列的俯视图。

图6是表示沿着图5所示的A-A’剖切线的截面构造的剖面图。

图7是用于说明图1所示的光传感器阵列的电极构造的图。