[发明专利]光传感器和光传感器阵列有效
申请号: | 201110294301.6 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN102569309A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 米仓健史;宫泽敏夫;长谷川笃;齐藤辉儿;安田好三 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 阵列 | ||
1.一种光传感器,
其包括:由金属膜构成的下部电极、设置在上述下部电极之上的无定形硅膜、设置在上述无定形硅膜之上的n型无定形硅膜、以及设置在上述n型无定形硅膜之上的上部电极,
该光传感器将依赖于入射到上述无定形硅膜的光量的电压作为传感器输出电压进行输出,
其中,上述光传感器的特征在于,还包括:
对上述上部电极和上述下部电极中的一方输入第一电压的机构;
在接通状态时对上述上部电极和上述下部电极中的另一方输入电位高于上述第一电压的第二电压,在关断状态时使上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方处于浮置状态的机构;以及
在上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方处于浮置状态下,使经过预定期间后的上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方的电压变化作为上述传感器输出电压进行输出的机构。
2.根据权利要求1所述的光传感器,其特征在于,
上述各光传感器像素的无定形硅膜的膜厚为500nm以上。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其特征在于,
上述各光传感器像素的无定形硅膜的膜厚为1200nm以下。
4.一种光传感器阵列,具有配置成阵列状的即m×n个光传感器像素,其特征在于,
上述各光传感器像素包括:由金属膜构成的下部电极;设置在上述下部电极之上的无定形硅膜;设置在上述无定形硅膜之上的n型无定形硅膜;以及设置在上述n型无定形硅膜之上的上部电极,
上述各光传感器像素输出与入射到上述无定形硅膜的光量相应的电压,
上述光传感器阵列包括:
多条扫描线,与各行的上述光传感器像素所包含的上述上部电极和上述下部电极中的一方相连接;
多条读出线,与各列的上述光传感器像素所包含的上述上部电极和上述下部电极中的另一方相连接;
扫描电路,与上述多条扫描线连接,按每1水平扫描期间依次对上述各扫描线提供第一电压的选择扫描信号;
第一机构,在1水平扫描期间的消隐期间对上述多条读出线输入了电位高于上述第一电压的第二电压之后,使上述多条读出线处于浮置状态;
第二机构,与上述多条读出线连接,使1水平扫描期间内的上述各读出线的电压变化作为光传感器像素的传感器输出电压进行输出,其中上述光传感器像素的上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方与上述各读出线连接,并且上述光传感器像素的上述上部电极和上述下部电极中的上述一方被输入选择扫描电压。
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