[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转的程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有由背光模块组、偏光片、上基板(通常是彩膜基板)和下基板(通常是阵列基板)以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。阵列基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线，数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元。每个像素单元包括TFT开关和像素电极；其中，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源、漏电极与栅电极之间。基板上一般还形成有公共电极，用于和像素电极形成电场，公共电极与像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的旋转的程度。TFT阵列基板上与栅线平行并处于同一层的存储底电容线和像素电极之间可以形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。

ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

在ADS模式的TFT阵列基板的制备过程中，像素电极层、源极、漏极以及有源层的制备通常分层制备，不仅基板厚度增加，且工艺流程繁琐。

发明内容

本发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示设备，改进了ADS模式的TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括：

在玻璃基板上通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；

在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，在所述栅极的上方，通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层；

在所述石墨烯层上，通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层；

在所述保护层上，在所述像素电极上方，形成公共电极。

另一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有栅线和栅极；

所述栅线和栅极上形成有栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层；

在所述保护层上，在所述像素电极上方，形成有公共电极层。

再一方面，提供一种显示装置，包括：上述的TFT阵列基板。

本发明实施例提供的TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，采用石墨烯材料在栅绝缘层上同层制备了TFT基板的数据线、源极、漏极、有源层和像素电极层，相比现有技术的在不同层制备的方法而言，使TFT阵列基板的厚度变薄，并简化了工艺流程。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图一；

图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图二；