[发明专利]形成保护结构用于绝缘层局部平坦化的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供具有被划片街区分离的多个半导体管芯的半导体晶片； 

在半导体管芯的有源表面上形成接触焊盘； 

在半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的半导体管芯的有源表面上形成保护图案； 

在有源表面、接触焊盘和保护图案上形成第一绝缘层；以及 

去除第一绝缘层的一部分以使接触焊盘暴露，其中，所述保护图案减少半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的第一绝缘层的腐蚀。

2.权利要求1的方法，其中，所述保护图案包括金属层。

3.权利要求1的方法，其中，所述保护图案被分段。

4.权利要求1的方法，还包括在具有到接触焊盘的开口的半导体管芯的有源表面上形成第二绝缘层。

5.权利要求1的方法，其中，所述保护图案遵循接触焊盘的轮廓。

6.权利要求1的方法，其中，所述保护图案包括多个平行段。

7.权利要求1的方法，还包括在半导体管芯的拐角处形成保护图案。

8.一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供半导体晶片； 

在半导体晶片的表面上形成导电层； 

在半导体晶片的边缘与导电层之间的半导体晶片的表面上形成保护图案； 

在半导体晶片的表面、导电层和保护图案上形成绝缘层；以及 

去除绝缘层的一部分以使导电层的一部分暴露，其中，所述保护图案保持半导体晶片的边缘与导电层之间的绝缘层。

9.权利要求8的方法，其中，所述保护图案包括金属层。

10.权利要求8的方法，其中，所述保护图案被分段。

11.权利要求8的方法，其中，所述保护图案遵循导电层的暴露部分的轮廓。

12.权利要求8的方法，其中，所述保护图案包括多个平行段。

13.权利要求8的方法，还包括在半导体管芯的拐角处形成保护图案。

14.一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供半导体管芯； 

在半导体管芯的表面上形成导电层； 

在邻近于导电层的半导体管芯的表面上形成保护图案；以及 

在半导体管芯的表面、导电层和保护图案上形成第一绝缘层，其中，所述保护图案保持邻近于导电层的第一绝缘层。

15.权利要求14的方法，还包括去除绝缘层的一部分以使导电层的一部分暴露，其中，保护图案减少邻近于导电层的第一绝缘层的腐蚀。

16.权利要求14的方法，其中，所述保护图案包括金属层。

17.权利要求14的方法，其中，所述保护图案被分段。

18.权利要求14的方法，还包括在半导体管芯上形成密封剂。

19.权利要求14的方法，还包括在具有到导电层的开口的半导体管芯的表面上形成第二绝缘层。

20.权利要求14的方法，还包括在半导体管芯的拐角处形成保护图案。

21.一种半导体器件，包括： 

半导体管芯； 

在半导体管芯的表面上形成的导电层； 

在邻近于导电层的半导体晶片的表面上形成的保护图案；以及 

在半导体管芯的表面、导电层和保护图案上形成的绝缘层，其中，所述保护图案保持邻近于导电层的绝缘层。

22.权利要求21的半导体器件，其中，所述保护图案包括金属层。

23.权利要求21的半导体器件，其中，所述保护图案被分段。

24.权利要求21的半导体器件，其中，所述保护图案遵循导电层的暴露部分的轮廓。

25.权利要求21的半导体器件，其中，所述保护图案包括多个平行段。