[发明专利]a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法

权利要求书

1.一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法，包括如下过程：

1)对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁处理；

2)将清洁处理后的a面GaN外延层薄膜在室温下用波长为514.5nm的氩离子激 光器进行腐蚀前的拉曼散射测试，测量其在腐蚀前a面GaN外延层薄膜在偏 振模式下，声子振动模式E₂的频移值E_2，pre；

3)用质量浓度为10％～20％分析纯KOH溶液，对a面GaN外延层薄膜进行腐 蚀处理；

4)对腐蚀后的a面GaN外延层薄膜进行拉曼散射，测量腐蚀后的a面GaN外延 层薄膜在偏振模式下，声子振动模式E₂的频移值E_2，post；

5)根据腐蚀前后a面GaN外延层薄膜在偏振模式下，声子振动模式E₂的频移位置偏移量ΔE₂＝E_2，post-E_2，pre，计算a面GaN外延层薄膜的腐蚀应力： σ_xx＝ΔE₂/k，其中k为常数。

2.根据权利要求1所述的a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法，其中 步骤用1)所述的对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁处理，是将a面GaN外延层 薄膜放置在真空度5.0×10^-3mbar的CVD炉腔中；在室温条件下通入流量为60～100 升/分钟的氮气，去除薄膜表面的划痕和表面附着物。

3.根据权利要求1所述的a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法，其中 步骤用3)，按如下步骤进行：

3a)将a面GaN外延层薄膜放入质量浓度为10％～20％分析纯KOH溶液中浸泡 1～3分钟；

3b)取出a面GaN外延层薄膜，用盐酸微漂，去掉凝结在a面GaN外延层薄膜 上的KOH溶液和腐蚀产物；

3c)分别用丙酮、酒精和去离子水进行超声处理，去掉表面的污染物，用等离子 水清洗1～3分钟；

3d)室温条件下，用流量为60～100升/分钟的氮气冲干，保持1～5分钟，以去 除腐蚀所产生的附着物。