[发明专利]电介质陶瓷组合物和其制造方法以及陶瓷电子部件

权利要求书

1.电介质陶瓷组合物，其含有以通式ABO₃表示且具有钙钛矿型结晶结构的化合物以及Y的氧化物，上述A为Ba一种、或者Ba与选自Ca和Sr的至少1种的组合，上述B为Ti一种、或者Ti与Zr的组合，其特征在于，上述电介质陶瓷组合物含有以上述化合物为主成分的电介质粒子，在使用表示上述化合物的原料粉末的平均粒径的d[nm]和表示上述原料粉末的上述钙钛矿型结晶结构中c轴的晶格常数与a轴的晶格常数的比值的c/a，并定义α＝1000×（c/a）/d时，上述α为11.0以下。

2.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，将上述电介质粒子的平均结晶粒径记作D[nm]，使用上述d和上述D，并定义晶粒生长率[%]＝（D/d）×100时，上述晶粒生长率为100～140%。

3.权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，上述电介质陶瓷组合物中存在含有上述Y的氧化物的偏析区域，相对于200μm²的视野面积，上述偏析区域所占的面积的比例为0.1～5.0%。

4.陶瓷电子部件，其具有由权利要求1～3中任一项所述的电介质陶瓷组合物形成的电介质层和电极。

5.电介质陶瓷组合物的制造方法，所述电介质陶瓷组合物含有以通式ABO₃表示且具有钙钛矿型结晶结构的化合物以及Y的氧化物，上述A为Ba一种、或者Ba与选自Ca和Sr的至少1种的组合，上述B为Ti一种、或者Ti与Zr的组合，其特征在于，具有：准备包括上述化合物的原料粉末和上述Y的氧化物的原料的电介质原料的工序；将上述电介质原料成形，得到成形体的工序；和将上述成形体烧成的工序，其中在使用表示上述化合物的原料粉末的平均粒径的d[nm]和表示上述化合物的原料粉末的钙钛矿型结晶结构中c轴的晶格常数与a轴的晶格常数的比值的c/a，并定义α＝1000×（c/a）/d时，上述α为11.0以下，并且在将上述成形体烧成的工序中，升温速度为600～8000℃/小时。