[发明专利]介电堆栈

权利要求书

1.一种形成器件的方法，包含：

提供一衬底；

于该衬底上形成具有形成厚度T_FD的器件层；

于该衬底上形成具有形成厚度T_FC的盖体层，其中形成该盖体层消耗该器件层所需的量，以造成该器件层的厚度大约为目标厚度T_TD；以及

将该盖体层的厚度自T_FC调整至大约目标厚度T_TC。

2.如权利要求1所述的方法，还包含在形成该器件层之前热形成介电层。

3.如权利要求1所述的方法，还包含量测该T_FD以获得量测的该器件层T_MD的量测厚度。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该T_FC是由该T_MD决定或计算。

5.如权利要求1所述的方法，其中，将该T_FC调整至大约该T_TC包含蚀刻。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该器件层包含电荷储存层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该器件层包含氮化物材料，而该盖体层包含热成长氧化物材料。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该器件层所消耗的量是取决于该盖体层所成长的量。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该盖体层是通过热氧化形成。

10.如权利要求1所述的方法，其中，形成该盖体层包含选择决定该T_FC及该器件层所消耗的量的配方。

11.如权利要求1所述的方法，其中，将该T_FC调整至大约该T_TC包含湿蚀刻或湿清洗。

12.一种器件，包含：

衬底；

第一器件层，其位在该衬底上包含目标厚度T_TFD；以及

第二器件层，其位在该衬底上且位在具有目标厚度T_TSD的该第一器件层上方，其中，该第二器件层的下层部分包含该第一器件层所消耗的上层部分。

13.如权利要求12所述的器件，其中，

该第一器件层包含第一介电材料；以及

该第二器件层包含第二介电材料。

14.如权利要求12所述的器件，其中，该第二器件层的顶面包含蚀刻表面。

15.如权利要求12所述的器件，包含第三器件层，其位在该第一器件层下方。

16.如权利要求15所述的器件，其中，该第一、第二及第三器件层形成介电堆栈。

17.如权利要求12所述的器件，其中，该厚度T_TFD及T_TSD是紧密关联地受到控制。

18.一种形成器件的方法，包含：

于衬底上形成具有基底目标厚度T_TB的基底介电层；

于该基底介电层上形成储存介电层，该储存介电层具有储存形成厚度T_FS；

于该储存介电层上形成具有上层形成厚度T_FU的上层介电层，其中，形成该上层介电层消耗该储存介电层所需的量，以产生具有储存目标厚度T_TS的储存介电层；以及

将该上层介电层的T_FU调整至大约上层目标厚度T_TU。

19.如权利要求18所述的器件，其中，调整T_FU包含蚀刻该上层介电层。

20.如权利要求19所述的器件，其中，该基底、储存及上层介电层形成非易失存储器的介电堆栈。