[发明专利]电子可擦除可编程只读存储器单元

说明书

技术领域

本发明是关于一种只读存储器单元，特别是关于一种电子可擦除可编程只读存储器单元。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatile memory，NVM)电路(例如，电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)电路)已广泛应用在编码及数据储存应用程序上。NVM电路的重要关键在于其效能，包括持久力(endurance)(编程的数量或写入/擦除周期)以及在写入/擦除周期之后的数据保存。在业界里，NVM技术的效能特性一直十分广泛。通常，即使处在极端的环境温度中，NVM电路应该可以持续数据保存的十万至一百万个编程周期超过20年。

存储器操作(例如编程及擦除)可包含例如自NVM单元的浮动栅极(floating gate)充电或放电电子。电子的充电及放电可通过热载子注入(hot carrier injection，HCI)或Fowler Nordheim(FN)穿隧(tunneling)达成。

本发明是期望提供一种改善数据保存的存储器单元。

发明内容

本发明是揭露一种形成器件的方法。该方法，包括提供一衬底，其预备有一单元面积，且形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极于该单元面积中。该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第一栅极的第一及第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。该方法亦包括形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面。第一栅极终端是形成且耦合至该第一晶体管的该第二子栅极。第二栅极终端是形成且耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极。

本发明是揭露一种器件。该器件包括一单元，具有串联耦合的第一及第二晶体管。该第一及第二晶体管是设置于第一及第二单元终端之间。该第一晶体管包括第一栅极，该第一栅极具有围绕第一子栅极的第二子栅极。该第一栅极的第一及第二子栅极是以第一栅极间介电层分隔。该第二晶体管包括第二栅极，该第二栅极具有围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是以第二栅极间介电层分隔。该器件亦包括第一栅极终端及第二栅极终端，该第一栅极终端是耦合至该第一栅极的该第二子栅极，该第二栅极终端耦合至该第二栅极的至少该第一子栅极。

在另一实施例中，亦揭露一种器件。该器件包含一单元，具有第一及第二晶体管。该第一晶体管包括介于该第一晶体管的第一及第二接面之间的第一栅极，该第一栅极包含第一及第二子栅极。该第二子栅极围绕该第一子栅极。该第一栅极亦包括第一栅极间介电层，是分隔该第一栅极的该第一及第二子栅极。该第一栅极的第一子栅极是通过第一栅极介电层与该衬底分隔。该第二晶体管包括介于该第二晶体管的第一及第二接面之间的第二栅极。该第二栅极包括该第二栅极的第一及第二子栅极。该第二子栅极围绕该第二栅极的该第一子栅极。该第二栅极亦包括第二栅极间介电层，是分隔该第二栅极的该第一及第二子栅极。该第二栅极的该第一子栅极是通过第二栅极介电层与该衬底分隔。该第一及第二晶体管的该第二接面是为耦合。该器件亦包括：第一单元终端，是耦合至该第一晶体管的该第一接面；第二单元终端，是耦合至该第二晶体管的该第一接面；第一栅极终端，是耦合至该第一晶体管的至少该第一子栅极；以及第二栅极终端，是耦合至该第二晶体管的该第二子栅极。

这些目的以及其它目的，随着本发明此处所揭露的优点及特征，将经由参照下列叙述以及伴随图式变得显而易见。此外，应了解此处所述各种实施例的特征并非互相排斥，而是可以各种排列及组合存在。

附图说明

图式中，相同的组件标号于不同图式中是指相同组件。再者，图式并非一定为实际比例，重点是在于强调本发明的原理。在下列叙述中，本发明的各种实施例是参照下列图式叙述，其中：

图1a显示存储器单元实施例的示意图；

图1b-至1c显示存储器单元实施例的剖面图；

图1d显示图1c存储器单元的一部分的上视图；以及

图2a至2f显示形成存储器单元实施例的工艺的剖面图。

具体实施方式

实施例大体上是有关于半导体器件。尤其，某些实施例是关于存储器器件，例如非易失性存储器器件。此类存储器器件能被并入至独立存储器器件(例如USB或其它可携式储存单元)、或集成电路(IC)(例如微控制器或单芯片系统(system on chips；SoCs))内。该器件或IC能被并入至例如计算机、行动电话以及个人数字助理(PDA)的消费性电子产品中，或与其一起使用。