[发明专利]半导体交互吸收式制冷装置

权利要求书

1.一种半导体交互吸收式制冷装置，包括有半导体制冷器组件，吸收器单元，蒸发器，冷凝器，集水槽，电磁阀(或阈值可控的单向压力阀)，毛细管及联接管路，单片机工控单元，可控硅继电器模块，比重传感器，温度传感器，其特征是在吸收器单元内设置有栅片式散热器，吸收器单元内放置有吸收剂溶液，栅片式散热器沉没在吸收剂溶液中，一个半导体制冷器组件的热端和冷端的PN结端面分别与2个吸收器单元内的栅片式散热器外端面紧密联接，单片机工控单元指令可控硅继电器模块控制半导体制冷器组件供电通断及输出功率、改变负载电流方向使冷热端互换，一个半导体制冷器组件的热端和冷端的交互运行，同步驱动相联的2个吸收器单元进行加热/解吸收、冷却/吸收的交互运行，整机配置了两个半导体制冷器组件及与之相匹配的4个结构相同的吸收器单元，在单片机工控单元的指令控制下，两个半导体制冷器组件依程序进行制冷端与制热端的交互运行，驱动了4个吸收器单元内的吸收剂依程序进行稀溶液加热/解吸收气化放热/转化为浓溶液；浓溶液冷却/吸收制冷剂水气/转化为稀溶液的连续交互循环运行，导致蒸发器内制冷剂工质不断气化吸热产冷。

2.如权利要求1所述的半导体交互吸收式制冷装置，其特征是单片机及外围器件构成单片机工控单元(简称工控单元)上有各吸收器单元吸收剂溶液的比重和温度、蒸发器内制冷剂温度、环境温度等传感器信息输入总线；控制电磁阀F1(F1a、F1b、F1c、F1d)、F2(F2a、F2b、F2c、F2d)运作的信号输出总线；控制可控硅继电器模块向半导体制冷器组件E1、E2供电运作的信号线；工控单元上还有制冷装置设备故障告警信号显示与输出。

3.如权利要求1所述的半导体交互吸收式制冷装置，其特征是吸收器单元内放置的吸收剂为卤族元素碱金属盐，如氯化锂、溴化锂、氯化钙等，可以是单一成分，也可以是混合盐，吸收剂可以是溶液，也可是纯固体粉末；使用固休吸收剂时，吸收剂做成与散热片紧密结合的蜂窝状；制冷剂工质可根据制冷用途选用水或乙醇，多数情况用卤族元素碱金属盐水溶液为吸收剂，水为制冷剂，两者组成制冷工质对。

4.如权利要求1所述的半导体交互吸收式制冷装置，其特征是在每个吸收器单元内设置有吸收剂溶液的比重传感器、温度传感器，在蒸发器内设置有制冷剂水温传感器，还设置有环境气温传感器，实时采集的数据送入单片机工控单元。

5.如权利要求1所述的半导体交互吸收式制冷装置，其特征是如果将半导体制冷器组件更换为太阳能风能转化的热源水、地热水、工业余热水，并配合冷却水；将吸收器单元内置的栅片式散热器更换为盘管式散热器，本发明的交互吸收式制冷装置同样可以制冷运行。