[发明专利]聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层及其制备方法无效
| 申请号: | 201110288767.5 | 申请日: | 2011-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN102304746A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 曲立杰;李慕勤;马臣;王晶彦;庄明辉;王晶 | 申请(专利权)人: | 佳木斯大学 |
| 主分类号: | C25D11/30 | 分类号: | C25D11/30;C25D9/04 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
| 地址: | 154007 黑龙江省佳*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吡咯 磷酸钙 氧化镁 生物 陶瓷 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层,其特征在于聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层是Mg-Zn-Zr-Ca合金依次经砂纸打磨、微弧氧化及电化学沉积处理制成的,微弧氧化处理所用微弧氧化电解液是CaH2PO4和NaOH按照1∶1~4的摩尔比配置的,微弧氧化电解液中CaH2PO4的浓度0.05~0.08mol/L,微弧氧化电解液的溶剂是蒸馏水;电化学沉积处理所用电解液由Ca(NO3)2、NH4H2PO4、吡咯和蒸馏水组成,电解液中Ca(NO3)2的浓度为0.042~0.21mol/L,NH4H2PO4的浓度为0.025~0.125mol/L,吡咯的浓度为0.01~0.05mol/L。
2.如权利要求1所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法是按下述步骤进行的:
步骤一、以Mg-Zn-Zr-Ca合金为基材,依次用500目、800目、1000目和1200目砂纸打磨,然后依次用丙酮、无水乙醇及蒸馏水在超声波环境下清洗;
步骤二、将CaH2PO4和NaOH按照1∶1~4的摩尔比配置微弧氧化电解液,微弧氧化电解液中CaH2PO4的浓度0.05~0.08mol/L,微弧氧化电解液的溶剂是蒸馏水;
步骤三、将步骤一处理的基材放入步骤二配制的微弧氧化电解液中,然后在占空比为10%-30%、电极间距为40mm、电压为200V~450V及电解液温度20~40℃条件下进行微弧氧化处理2min~10min;
步骤四、将经步骤三处理的基材放入到电解液中,然后在脉冲电流密度为10~40mA/cm2,占空比为50%~80%,电极间距为10mm及电解液温度为40℃条件下进行电化学沉积10~60min;即得到聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层;步骤四所述电解液由Ca(NO3)2、NH4H2PO4、吡咯和蒸馏水组成,电解液中Ca(NO3)2的浓度为0.042~0.21mol/L,NH4H2PO4的浓度为0.025~0.125mol/L,吡咯的浓度为0.01~0.05mol/L。
3.根据权利要求2所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤三是在超声波辅助下进行微弧氧化处理,超声波的工作频率为40KHz,超声波的功率为400~800W。
4.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤三微弧氧化处理所用电压为250V~400V。
5.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤三微弧氧化处理3min~7min。
6.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤三微弧氧化处理5min。
7.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤四所述聚吡咯的浓度为0.01~0.03mol/L。
8.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤四所述聚吡咯的浓度为0.02mol/L。
9.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤四电化学沉积时间为20~40min。
10.根据权利要求2或3所述的聚吡咯磷酸钙/氧化镁生物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤四电化学沉积时间为30min。
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