[发明专利]化学气相沉积装置有效
申请号: | 201110287513.1 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN103014669A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 奚明;马悦;萨尔瓦多;林芳;黄占超 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 | ||
1.一种化学气相沉积装置,包括:反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座,所述基座具有加热单元,所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置,用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区,所述冷却装置设置在所述喷淋组件背离所述基座的一侧;其特征在于,还包括:设置在所述第一进气装置和所述冷却装置之间的第一间隔件,设置在所述第二进气装置和所述冷却装置之间的第二间隔件,所述第一间隔件的热传导系数大于所述第二间隔件的热传导系数,所述加热单元在加热过程中,所述第一进气装置与所述第二进气装置具有不同的温度。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一间隔件的材料包括石墨或碳化硅,所述第二间隔件的材料成分包括钢、铝、铜、金、银中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置的材料与所述第二进气装置的材料相同。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置的材料与所述第二进气装置的材料不同。
5.如权利要求4所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置的材料包括石墨或碳化硅,所述第二进气装置的材料成分包括钢、铝、铜、金、银中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一间隔件的热传导系数大于所述第一进气装置的热传导系数。
7.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第二间隔件的热传导系数大于所述第二进气装置的热传导系数。
8.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第二气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述加热单元在加热过程中,所述第一进气装置的温度小于所述第二进气装置的温度。
11.如权利要求10所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置用于传输III族金属有机源,所述第二进气装置用于传输V族氢化物源。
12.如权利要求11所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述III族金属有机源包括Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga(C2H5)3、Zn(C2H5)3气体中的一种或多种。
13.如权利要求11所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述V族氢化物源包括NH3、PH3、AsH3气体中的一种或多种。
14.如权利要求11所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置与所述第二进气装置之间的温度差大于或等于100℃且小于或等于600℃。
15.如权利要求14所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置的温度大于或等于35℃且小于或等于600℃,所述第二进气装置的温度大于或等于135℃且小于或等于800℃。
16.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,还包括:旋转驱动单元,所述旋转驱动单元驱动所述基座或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转。
17.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一进气装置与所述第二进气装置组合成为一个圆盘体,所述圆盘体被划分为多个扇形区,所述多个扇形区包括交替间隔设置的第一扇形区和第二扇形区,所述第一进气装置设置在所述圆盘体的第一扇形区,所述第二进气装置设置在所述圆盘体的第二扇形区。
18.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述冷却装置具有冷却通道,用以通入冷却气体或者冷却液体。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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