[发明专利]一种半导体器件的检测样本制作方法及检测样本

权利要求书

1.一种半导体器件的检测样本制作方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体器件上要制作样品的区域中，要采用透射电子显微镜TEM观测的结构位置处纵向电镀铂Pt层；

在半导体器件上要制作样品的区域内横向电镀Pt层；

采用聚焦离子束FIB方式在半导体器件进行样品区域的切割，得到样品区域结构；

对样品区域结构进行底部脱离；

采用FIB方式对样品区域结构的厚度减薄及样品区域结构两边切断，得到检测样品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述观测的结构为栅极、通孔或金属互连线。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

对得到的检测样品采用TEM进行检测，确定该样品代表的半导体器件是否为设计的结构，在观测过程中，根据纵向电镀Pt层准确识别出要观测的结构位置。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纵向电镀Pt层为条形结构，覆盖住采用TEM观测的结构；

所述条状结构的方向与检测样本的结构排列方向一致，与所述横向电镀Pt层的方向垂直。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到样品区域结构的过程为：

采用7000皮安pA的大电流的离子束切割半导体器件上要制作样品的区域，在要制作样品的区域外围形成两个在长度方向上互相平行的长方形槽，然后对要制作样品的区域使用300pA的小电流的离子束在所形成的两个长方形槽之间进行细切割，得到样品区域结构。

6.一种半导体器件的检测样本，其特征在于，包括：从半导体器件切割得到的要检测的半导体器件中的检测样品结构区域、在该检测结构区域上形成具有要采用TEM观测的结构位置处的纵向电镀Pt层，以及该检测样品区域结构上的横向电镀Pt层。

7.如权利要求6所述的检测样本，其特征在于，所述要采用TEM观测的结构为栅极、通孔或金属互连线。

8.如权利要求6所述的检测样本，其特征在于，所述纵向电镀Pt层为条形结构，覆盖住采用TEM观测的结构；

所述条状结构的方向与检测样本的结构排列方向一致，与所述横向电镀Pt层的方向垂直。