[发明专利]一种氮化铝薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；

向所述原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，所述含碳物质与所述硅衬底表面发生化学反应，使得所述含铝物质中的铝原子吸附在所述硅衬底表面；

向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，所述含氮物质与所述硅衬底表面发生卤代反应，所述含硅质中的氮原子与所述硅衬底表面的铝原子形成铝硅键，待反应完全后，所述硅衬底表面即生成氮化铝薄膜结构。

2.如权利要求1所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中的步骤之前还包括：所述硅衬底的表面经过标准液和氢氟酸处理，所述硅衬底处理后的表面含有硅氢键。

3.如权利要求1所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述含铝物质为溴化铝溶液。

4.如权利要求3所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述溴化铝的流速为25ccm-200sccm，进气时间为0.5s-1s。

5.如权利要求1所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氮物质为氨气。

6.如权利要求5所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨气的流速为10sccm-100sccm，时间为0.5s-1s。

7.如权利要求1所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述在向所述原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质或含氮物质的步骤之前还包括：向原子层沉积设备反应腔通入氩气或氮气。