[发明专利]密闭型容器以及半导体制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及收纳晶片等半导体衬底在传送中使用的密闭型容器以及包含它的半导体制造装置。

背景技术

以往，在半导体处理装置等的处理过程中存在以下的问题。在晶片等的被处理物上残留例如包含卤素原子的生成物和吸附物等，它们与真空处理室外的大气中的水分等接触后反应，发生微小的粒子、缺陷。

在明显精密化的半导体上，这些微小的异物对半导体器件的成品率影响很大。为了消除这些微小的异物，例如，在处理后从半导体衬底上除去包含卤素原子的生成物或吸附物。但是，为此需要被处理物的加热机构和水洗机构等的设备。

例如，在专利文献1中公开了将堆积在处理后的晶片上的卤素类硅、物理吸附在晶片上的C12、HBr等转化为卤化铵的技术。这些卤化铵因为是水溶性物质，所以能够容易通过液体洗净步骤除去。

在专利文献2中公开了向在向处理室传送晶片时通过的真空准备室中不断连续流入惰性气体的技术。在该技术中，能够防止从真空准备室向处理室传送晶片时的带电，和从处理室向真空准备室传送时的晶片上的自然氧化膜成长。

另一方面，作为用设置在晶片传送用的盒内的传感器检测放置在盒内的槽上的晶片的有无的技术，已知有专利文献3。在该技术中，将来自传感器的信息存储在存储部中，把存储着的槽信息向盒的外部的设备机器发送。

[专利文献1]特开2006-12940号公报

[专利文献2]特开平5-36618号公报

[专利文献3]特开2009-158600号公报

专利文献1所述的发明是设置液体洗净步骤除去晶片上的卤化铵。专利文献2所述的发明是通过在预备室中的惰性气体来防止自然氧化膜成长。但是，在这些技术中，当将处理后的晶片收纳在收纳容器中的情况下，该容器内部的温度、湿度、气体浓度等没有得到控制。因此，不能解决因容器内部的气体氛围引起的粒子和缺陷发生的问题。

另一方面，专利文献3所述的发明是在盒内设置传感器，以无线方式发送信息，但该信息是表示晶片的有无的槽信息，并未考虑温度等的环境信息。

发明内容

本发明的目的在于抑制因密闭型容器内部的气体氛围引起的反应物的生成。

本发明的密闭型容器以及半导体制造装置具有以下的特征：

(1)一种密闭型容器，是收纳半导体衬底并在传送中使用的密闭型容器，包括：

传感器部，设置在该容器主体内侧，检测该容器内的温度、湿度和气体浓度中的至少一个；以及

外部输出部，输出由该传感器检测到的信息。

(2)根据上述特征(1)所述的密闭型容器，其特征在于：上述外部输出部是发送装置。

(3)一种半导体制造装置，包括：

特征(2)所述的密闭型容器；

处理上述半导体衬底的处理装置；以及

传送装置，以密闭状态连接上述密闭型容器和上述处理装置，将上述半导体衬底从上述密闭型容器传送到上述处理装置，

所述半导体制造装置的其特征在于：

上述处理装置具有：

接收部，接收从上述发送装置输出的信息；

存储部，存储接收到的信息；以及

输出部，输出所存储的信息，

上述传送装置具有：

净化部，调整上述密闭型容器内部的气体氛围，

该净化部基于来自输出部的信息，在上述密闭型容器的内部的温度、湿度、气体浓度的至少一个满足预先确定的基准值为止进行净化。

如果采用本发明，则能够抑制因密闭型容器内部的气体氛围引起的反应物的生成。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体制造装置构成的侧面图。

图2是表示实施方式的半导体制造装置构成的功能方框图。

图3是表示实施方式的净化输出部的平面图。

图4是表示实施方式的半导体制造装置的作用的流程图。

图5是另一实施方式的密闭型容器的立体图。

符号说明