[发明专利]一种沟槽MOS结构肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110287378.0 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022155A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽MOS结构肖特基二极管，其特征在于：包括：
多个沟槽位于半导体材料表面；
沟槽内壁的底部和侧壁的下部表面设置有绝缘介质，沟槽之间半导体材料上部设置有绝缘介质；
沟槽侧壁的上部为肖特基势垒结；
沟槽内填充有栅极介质；
半导体装置表面和背部区域覆盖有金属层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的栅极介质为多晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的绝缘介质为二氧化硅。
4.如权利要求1所述的沟槽MOS结构肖特基二极管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在半导体材料衬底上的半导体材料漂移层的表面形成绝缘介质；
2)进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；
3)在沟槽内壁形成绝缘介质；
4)淀积栅极介质，对栅极介质进行掺杂，然后进行栅极介质反刻蚀；
5)腐蚀去除沟槽侧壁绝缘介质；
6)对栅极介质进行回刻蚀；
7)在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结；
8)在表面形成金属，进行光刻腐蚀工艺，去除表面部分金属；
9)进行背面金属化工艺，在背面形成金属。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述的栅极介质的刻蚀为干法刻蚀。
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