[发明专利]一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤（1），将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；

步骤（2），向所述原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体，所述含锌源气体中的锌原子吸附在所述硅衬底上；

步骤（3），以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气，同时进行等离子体放电，所述氮气电离后部分氮原子与部分所述锌原子形成共价键，氮原子未成键的电子和电离的氢原子成键；

步骤（4），向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，未与所述氮原子反应的锌原子与所述含氧源中的氧原子形成锌氧键；

步骤（5），重复步骤（2）、（3）、（4）即可逐层生长含氮原子的氧化锌薄膜。

2.如权利要求1所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）之前还包括：所述硅衬底的表面经过标准液和氢氟酸处理，在所述硅衬底的表面形成硅氢键。

3.如权利要求1所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的含锌源气体为氯化锌。

4.如权利要求1所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中氮气的流量为1sccm-1000sccm，进气时间为0.1s-1s，反应时间为1s-10s，清洗时间为5s-60s，基盘温度为100℃-500℃。

5.如权利要求4所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中氮气的流量为15sccm，进气时间为1s，反应时间为5s，清洗时间为20s，基盘温度为300℃。

6.如权利要求1所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中氢气的流量为1sccm-6sccm，等离子体放电功率为1W-100W，放电时间为1s-10s。

7.如权利要求6所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中等离子体放电功率为40W，放电时间为3s。

8.如权利要求1所述的掺氮氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的含氧源为水。